麦瑞半导体推出N沟道MOSFET驱动器MIC5019
2012-12-13 13:53:35 来源：电子发烧友 点击：1614
【哔哥哔特导读】高性能模拟和高速混合信号解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)(纳斯达克股票代码：MCRL)今天推出了一款带集成电荷泵的小型高边MOSFET驱动器MIC5019，该器件是为在高边开关应用中开关N沟道增强型MOSFET设计的。
摘要： 高性能模拟和高速混合信号解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)(纳斯达克股票代码：MCRL)今天推出了一款带集成电荷泵的小型高边MOSFET驱动器MIC5019，该器件是为在高边开关应用中开关N沟道增强型MOSFET设计的。
高性能模拟和高速混合信号解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)(纳斯达克股票代码：MCRL)今天推出了一款带集成电荷泵的小型高边MOSFET驱动器MIC5019，该器件是为在高边开关应用中开关N沟道增强型MOSFET设计的。该器件是负载开关、电磁阀驱动器和电机驱动器应用的理想产品。MIC5019目前已经开始批量供应，千片订量的单价为0.48美元。用户可以通过麦瑞半导体公司官方网站 http://www.samplecomponents.com/
麦瑞半导体模拟产品事业部市场营销副总裁Brian Hedayati表示：“许多高边应用要求MOSFET即便在源电压接近供电电压时仍能保持接通。麦瑞半导体的MIC5019 MOSFET驱动器利用内置电荷泵提升MOSFET门电压高于供电电压，从而实现这一目的。”
MIC5019采用小型4引脚1.2mm x 1.2mm thin QFN封装，供电电压范围为2.7V到9V，当电源电压为9V时可提供16V的门驱动电压，当电源电压为2.7V时可提供8V门驱动电压。在低边和高边应用中，电源电压为5V时的典型供电电流为150μA，休眠电流小于1μA。该器件的工作结温范围为-40摄氏度至125摄氏度。
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