移动通信系统已经经历了数十年的发展，在发展的过程中一直追求更高的频谱效率，技术也在不断地更新换代。从2G时代的GMSK，到3G时代的CDMA，到4G时代的OFDM。这些大规模集成电路的设计技术与生产技术，也从几百纳米的时代一直发展到几十纳米的时代。系统的带宽需求越来越大，这也就意味着对终端芯片平台的处理能力要求越来越高。

近日，某工程院院士在一段采访中表示：“手机是大家接触比较多的芯片载体，但国内技术大概只占手机芯片市场的20%。尤其是4G芯片，国内使用的都是国外的技术。国家可以着手制定芯片生产标准，用标准集聚市场资源，才能引领核心技术产业实现跨越式发展。”

观察4G芯片目前的的发展模式可以知道，4G芯片应该是具备高度集成、多模多频、强大的数据与多媒体处理能力的。在高度集成方面，集成化是芯片市场的发展趋势，同时也是4G芯片发展的主要方向。从2G 发展到4G，无线网络本身也需要一个较长的发展时间和过程，在这期间，对终端芯片平台也随网络演进变化而提出了不同的需求，即多种模式自动切换的工作模式需求。而国内目前的芯片从40nm的基带芯片，到28nm的集成SoC的发展，这是芯片迈入集成化的过程。过去，集成芯片的主要是硅电子设备，但是，步入4G时代以来，研究人员们却对这种材料慢慢地“敬而远之”了。

首先是传统的硅电子设备在某些极端条件下无法保证正常的运行，而且能耗较高。把这种材料使用在4G的芯片中，在面临特殊环境时，芯片极有可能会失去作用。所以为了支持4G芯片的设备升级并且降低能耗，研究人员近十年来一直在寻找替代技术或混合型技术。在过去的十年中，科学家们对开发混合型或者是独立型的纳米电机设备都倾注了极大热情，现在，纳米电机交换技术正逐渐显出光明的前景。

“纳米电机交换器由纳米结构组成，比如碳纳米管或纳米线，在静电力作用下会发生机械转向，从而连通或断开电极。”某学院教授说到，这种纳米电机交换器可以设计得像硅晶体管那样工作，既能单独运行，也能制造混合型纳米电机，同时还能满足超低能耗和耐高温辐射环境的需求。这种新材料的选择将会大大提高纳米电机设备的坚固性和稳定性，纳米电机的投入对于4G芯片来说将是极为利好的消息。也许在不久的将来，我们能看到纳米电机占据4G芯片设备的绝对地位。