摘要：  日前，由中国电子科技集团第13研究所研制的MEMS加速度传感器突破了高精度SOI工艺加工、圆片级可调阻尼封装、低功耗ASIC专用集成电路等关键技术，在国际招标项目中，一举战胜美国PCB公司和瑞士奇石乐等国际知名传感器厂商。这是国产MEMS加速度传感器首次在国际招标中获胜，标志着中国电科MEMS加速度传感器已达到国际先进产品水平。

关键字：  MEMS，传感器，电科

日前，由中国电子科技集团第13研究所研制的MEMS加速度传感器突破了高精度SOI工艺加工、圆片级可调阻尼封装、低功耗ASIC专用集成电路等关键技术，在国际招标项目中，一举战胜美国PCB公司和瑞士奇石乐等国际知名传感器厂商。这是国产MEMS加速度传感器首次在国际招标中获胜，标志着中国电科MEMS加速度传感器已达到国际先进产品水平。

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MEMS加速度传感器具备高精度、高分辨率(分辨率优于10μg)、低噪声(13所2.5μg，国外同类产品约5μg)、低功耗、低温漂、抗过载和超小体积(体积是国外同类产品1/4)、重量小于1.2克(国外同类产品约10克)等技术特点，主要技术指标全面超越国外同类产品。