我国对美欧韩多晶硅“双反”初裁延至3月
2013-02-20 10:42:46 来源:大比特商务网 点击:1775
【哔哥哔特导读】据悉,中国商务部原定于2月20日对欧美韩的多晶硅双反初裁将推迟,具体或将于3月份出炉。推迟主要因为中国春节假期因素,延期在美国对华光伏组件双反初裁中也多次出现,但是初裁结果在3月份出炉应该问题不大。
摘要: 据悉,中国商务部原定于2月20日对欧美韩的多晶硅双反初裁将推迟,具体或将于3月份出炉。推迟主要因为中国春节假期因素,延期在美国对华光伏组件双反初裁中也多次出现,但是初裁结果在3月份出炉应该问题不大。
据悉,中国商务部原定于2月20日对欧美韩的多晶硅双反初裁将推迟,具体或将于3月份出炉。推迟主要因为中国春节假期因素,延期在美国对华光伏组件双反初裁中也多次出现,但是初裁结果在3月份出炉应该问题不大。
据知情人介绍,初裁需要各级审批,所有程序还要记录在案,以备WTO今后可能的复审。“但这些程序都是商务部内部的,不涉及其他部门。如果延期的话,则3月底前任何一天出都有可能——什么时候程序走完了就什么时候出。”
“目前看来,初裁结果确定美欧韩对华多晶硅倾销成立的可能性还是很大的。届时,中国就要开始向相关企业征收保证金。如果初裁确定的反倾销税率在40%,未来终裁确定的税率是50%,则其中相差的10%不会被追溯;而假设终裁确定的税率是30%,则多收的10%还要返还给企业。”上述人士说。
不过,初裁一旦确立,则保证金的征收还要往前追溯3个月。
至于终裁的时间点,上述人士表示,按照规定必须在初裁后4个月内作出,“也就是说,假设3月10日出台初裁结果,则最迟在7月10日之前必须出台终裁结果。”
此前,内部时间表确定的初裁和终裁时间点分别是2月20日与6 月20日。
2012年11月1日,中国商务部宣布对原产欧盟的多晶硅发起双反调查。2011年中国自欧盟进口多晶硅14643吨,根据中国有色金属工业协会硅业分会提供的平均60美元/千克的价格,总价值超过55亿元人民币。
2012年9月6日,继美国双反之后,欧盟委员会对原产于中国的晶体硅光伏产品正式发起反倾销立案调查。2011年中国对欧洲光伏产品出口高达204亿美元,直接从业人口超过50万人,带动间接就业人口超过100万人。
上述知情人士说,欧美韩三国的企业在多晶硅领域对中国的低价倾销,已使包括协成硅业在内的数家多晶硅企业倒闭。
光伏市场调研公司Solarbuzz高级分析师廉锐解释,2012年二季度中国还有两三家多晶硅企业可以满产,“但现在没有一个企业满产”。美国、韩国、欧盟的多晶硅企业对中国市场的低价策略,加之市场行情平淡,使得国内多晶硅企业目前能够开工的数目已降至个位数。
“双反”申诉由中国国内最大的四家多晶硅企业共同发起,分别是:江苏中能硅业、江西赛维LDK光伏硅科技、洛阳中硅高科技、重庆大全新能源。2012年1-6月,这四家企业总产量为28484吨,占据国内36230吨总产量的79%。
记者在四家企业提交中国商务部的申诉书中看到,在2011年7月-2012年6月的一年调查期内,剔除运输、保险、关税、增值税、仓储等各环节费用影响,原产于欧盟的被调查产品的倾销幅度为11.47%。
根据四家企业提出的诉求,此次涉及低价倾销的欧盟多晶硅企业共有11家,其中:德国5家,意大利4家,法国和西班牙各1家。
根据提起“双反”申诉的企业提交的意见,上述企业期望在最终的裁决中,商务部能对以上三个区域多晶硅厂商裁定征收40%-50%的惩罚性关税。
“这个价格是基于成本价的基础,目的是杜绝低价倾销。”上述知情人士解释,相对于美国对中国光伏电池厂商征收最高达249.96%的惩罚性关税,40%-50%的额度处于合理区间。
前述知情人士坦言,针对欧盟、美国和韩国40-50%的惩罚性关税不高,如以12月份倾销价格16.4美元/千克计算,只是回到提起双反之前的7-8月份水平,“而24-25美元/千克是一个公允的、微有利润的价格”。
2012年上半年,进口占据中国多晶硅市场的60%,开始挤压国内厂商的市场空间;2012年7月20日商务部发起对美国和韩国的多晶硅“双反”后,以德国瓦克化学股份有限公司为首的多晶硅硅料进口倾销力度更大,市场份额更占到70%以上。
声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,我们将及时更正、删除,谢谢。
日前,隆基股份官网公布了单晶硅片的最新报价,156.75、166尺寸的单晶硅片价格不变,与之相对的则是多晶硅片的不断下调,以及通威太阳能多晶电池片价格的大幅下降,降幅达0.07元/W。
近日,一则来自美国光伏巨头FirstSolar的消息再次引发业界对薄膜太阳能前 景的关注,据该公司宣布,其碲化镉(CdTe)薄膜光伏组件的转换效率首次超越多晶硅组件,达到创纪录的18.6%。
它是在单一芯片上集成两个相互独立、测量方向相互垂直的敏感元的测量模块,是由多晶硅微加工表面工艺制成的电容式加速度传感器;由硅片表面的弹性结构支撑起的质量块下面贴附电容的一个极板,电容的另一极扳固定。
荷兰代尔夫特科技大学的研究人员开发出一种方法,用单脉冲镭射直接在衬底上将液态硅墨水打印成能用在电路中的多晶硅,且用镭射打印的薄膜电晶体比传统多晶硅导体更具有灵活机动性。
目前太阳能电池按照所使用的原料、构造及制造方法分为数种。其中,结晶硅类太阳能电池多指以硅半导体基板为原料的单晶硅太阳能电池及多晶硅太阳能电池;此外还有非晶硅类太阳能电池,此类电池以与液晶面板相同的薄膜制法为基础,都是在玻璃基板而非硅基板上蒸镀非晶硅制造的。
晶体硅太阳能电池的表面积与体积的比率大,表面复合严重。此外,与半导体级硅片相比,太阳能级单晶硅和多晶硅体内存在大量的杂质和缺陷,而这些杂质和缺陷会充当复合中心,增加复合速率。表面复合和杂质缺陷复合会显著降低少子寿命和太阳电池性能......
第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
发表评论