多晶硅周评 太阳能现货价格涨势趋缓
2013-04-01 09:58:36 来源:大比特商务网 点击:1957
【哔哥哔特导读】上周国内多晶硅均价虽持稳,但一些厂商已开始调低报价,同时国际多晶硅报价继上周增幅大幅减缓后本周出现涨停,对外“双反”预期的利好效应似开始衰减,来自美、欧、韩的进口多晶硅也加速呈现量增价跌的势头。
摘要: 上周国内多晶硅均价虽持稳,但一些厂商已开始调低报价,同时国际多晶硅报价继上周增幅大幅减缓后本周出现涨停,对外“双反”预期的利好效应似开始衰减,来自美、欧、韩的进口多晶硅也加速呈现量增价跌的势头。
上周国内多晶硅价格持稳微升,主流报价在14-15万元/吨,均价约为14.27万元/吨。国际多晶硅价格维持不变,主流报价为17-21美元/千克,均价仍在18.59美元/千;156mm多晶硅晶圆报价0.82-1.05美元/片,均价维持在0.862美元/千克;156mm多晶硅电池片报价为1.32-2.19美元/片,均价1.607美元/片,周环比增幅1.77%;而156mm单晶硅晶圆均价1.272美元/片,维持不变;156mm单晶硅电池片均价2.129美元/片,周环比增幅1.62%。
上周国内多晶硅均价虽持稳,但一些厂商已开始调低报价,同时国际多晶硅报价继上周增幅大幅减缓后本周出现涨停,对外“双反”预期的利好效应似开始衰减,来自美、欧、韩的进口多晶硅也加速呈现量增价跌的势头。尽管商务部计划多晶硅反倾销初裁在4月5日前公布,并于2012年11月26日启动追溯征税调查,但从2月份进口多晶硅量增价跌的形势来看,国外对中国倾销行为并没有得到有效抑制,反而日益猖獗。据最新海关统计数据显示,2013年2月我国多晶硅进口量为7991吨,环比增加17.7%,同比增长4.9%;进口单价方面,2月份多晶硅进口均价延续1月跌势再创历史新低,大幅下挫至17.7美元/千克,环比下降4.17%,同比下降37.1%。国内多晶硅产业正在经历着最为严重的,来自美、韩、欧三方的联动打压。
目前看来,多晶硅价格已回调乏力,随着“双反”初裁结果推迟,多晶硅突击进口或继续加码,使得国内目前普遍持观望态度的绝大多数厂商短期内复产希望渺茫。但多晶硅“双反”结果最终出台后,预计国内多晶硅价格有望好转,从目前的14万元/吨回升到20万元/吨以下的合理区间,其中受益最大的仍是目前仍在坚持生产的4家多晶硅一线企业。因此,优化产业布局、推进重组、淘汰落后产能、提高集中度是未来多晶硅产业健康发展应坚持的正确方向。
PVinsights也表示,上周多晶硅、硅晶圆报价已持平,涨幅在太阳能电池较明显,主要是因市场担心欧盟对中国硅晶圆/电池/模组恐掀反倾销诉讼下,中国业者委外电池代工的趋势更加兴起,故非中系的电池厂可享有价格上涨之惠,基本上,欧盟反倾销的初裁时间将会在6月6日之前。
据研调机构Energytrend报价,上周多晶硅现货价格维持平盘,主要受到大陆市场价格松动,加上下游产品涨幅仍然偏低,近期价格已经达到业者可接受的上限,未来如无利多支持,多晶硅价格几乎没有再次上涨的空间。
在多晶硅晶圆方面,供需仍然吃紧,上周平均价格小涨至$0.905 USD/piece,涨幅0.11%;单晶硅晶圆本周平均价格上涨至$1.22USD/piece,涨幅0.08%。
在电池方面,业者接单情况仍然畅旺,有利报价持续上扬,本周平均价格上涨至$0.386 USD/Watt,涨幅为0.26%。
而据PVinsights的统计,上周太阳能现货价格仅有太阳能电池维持涨幅,其它如多晶硅、矽晶圆都已回到平盘走势。
声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,我们将及时更正、删除,谢谢。
日前,隆基股份官网公布了单晶硅片的最新报价,156.75、166尺寸的单晶硅片价格不变,与之相对的则是多晶硅片的不断下调,以及通威太阳能多晶电池片价格的大幅下降,降幅达0.07元/W。
近日,一则来自美国光伏巨头FirstSolar的消息再次引发业界对薄膜太阳能前 景的关注,据该公司宣布,其碲化镉(CdTe)薄膜光伏组件的转换效率首次超越多晶硅组件,达到创纪录的18.6%。
它是在单一芯片上集成两个相互独立、测量方向相互垂直的敏感元的测量模块,是由多晶硅微加工表面工艺制成的电容式加速度传感器;由硅片表面的弹性结构支撑起的质量块下面贴附电容的一个极板,电容的另一极扳固定。
荷兰代尔夫特科技大学的研究人员开发出一种方法,用单脉冲镭射直接在衬底上将液态硅墨水打印成能用在电路中的多晶硅,且用镭射打印的薄膜电晶体比传统多晶硅导体更具有灵活机动性。
目前太阳能电池按照所使用的原料、构造及制造方法分为数种。其中,结晶硅类太阳能电池多指以硅半导体基板为原料的单晶硅太阳能电池及多晶硅太阳能电池;此外还有非晶硅类太阳能电池,此类电池以与液晶面板相同的薄膜制法为基础,都是在玻璃基板而非硅基板上蒸镀非晶硅制造的。
晶体硅太阳能电池的表面积与体积的比率大,表面复合严重。此外,与半导体级硅片相比,太阳能级单晶硅和多晶硅体内存在大量的杂质和缺陷,而这些杂质和缺陷会充当复合中心,增加复合速率。表面复合和杂质缺陷复合会显著降低少子寿命和太阳电池性能......
第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
发表评论