英特尔Haswell为电源IC供应商带来新商机
2013-04-15 11:04:47 来源：电子发烧友 点击：1943
【哔哥哔特导读】英特尔2013年下半年将推出的Haswell，将把上一代处理器平台整合的电源功能独立出来，并特别在中央处理器(CPU)增加Turbo Boost规格，可望释出更多电源IC订单。
摘要： 英特尔2013年下半年将推出的Haswell，将把上一代处理器平台整合的电源功能独立出来，并特别在中央处理器(CPU)增加Turbo Boost规格，可望释出更多电源IC订单。
英特尔(Intel)第四代Core处理器--Haswell将为电源IC供应商带来新的商机。英特尔2013年下半年将推出的Haswell，将把上一代处理器平台整合的电源功能独立出来，并特别在中央处理器(CPU)增加Turbo Boost规格，可望释出更多电源IC订单。
安森美半导体(ON Semiconductor)大中国区解决方案工程中心总监张道林表示，英特尔第三代Ivy Bridge架构原本已整合绘图处理器(GPU)电源和其他功率较小的直流对直流(DC-DC)转换器，但为避免影响处理器的运作，新一代Haswell处理器将与GPU电源进行切割，将有助于提升处理器效率(Efficiency)及热管理(Thermal Management)能力。
英特尔Haswell为电源IC供应商带来新商机
张道林进一步指出，除释放GPU电源订单外，英特尔未来亦尚未计划在Haswell架构中整合CPU电源，因此下一代Haswell处理器平台将为电源IC厂商带来不小商机。
据了解，英特尔Haswell CPU电源设计架构为VR12.5、VR12.6，其中VR12.6主要针对笔记型电脑(NB)应用，而VR12.5则是桌上型电脑(DT)和笔电皆可。目前电源晶片商在Vcore Power的电源设计约有三种，分别为脉冲宽度调变(PWM)、PWM+驱动器(Driver)，以及驱动器+金属氧化物半导体场效电晶体 (MOSFET)的DrMOS方案，现阶段有产品供应能力厂商如安森美、德州仪器(TI)和英特硅尔(Intersil)，均全力抢攻商机。
另一方面，新一代Haswell处理器的电源设计规格将增添新一代涡轮加速(Turbo Boost)技术，可让CPU在超过特定负载时，瞬间在10毫秒(ms)内提供双倍的功率，以确保CPU运作无虞，但此一技术将影响电源转换器 (Adapter)、锂电池和电池充电器的电源设计。
张道林认为，针对英特尔Turbo Boost规格要求，PWM要在10毫秒内做到如此大的电力输出，将是一大技术挑战。现阶段如安森美、恩智浦(NXP)等国际电源大厂，积极透过瞬间高峰 (Peak Power)的电源技术，来提高PWM的支援功率，以分食英特尔Haswell架构的市场商机。
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