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Vishay推出新型高速硅PIN光电二极管VEMD10940F
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Vishay推出新型高速硅PIN光电二极管VEMD10940F

2013-05-15 13:48:38 来源:大比特商务网 点击:1677

【哔哥哔特导读】日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940,以及匹配封装、对780nm~1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F。

摘要:  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940,以及匹配封装、对780nm~1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F。

关键字:  红外发射器光电二极管Vishay

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940,以及匹配封装、对780nm~1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F,扩大其光电子产品组合。这些器件均具有±75°的超宽半强角,小尺寸侧视表面贴装封装的尺寸为3mm x 2mm,高度仅有1mm。

Vishay推出新型高速硅PIN光电二极管VEMD10940F

Vishay推出新型高速硅PIN光电二极管VEMD10940F

今天发布的这些红外发射器采用透明无色封装,在20mA下的典型发光强度达1mW/sr,比市场上的类似器件高33%,开关时间只有15ns。940nm VSMB10940采用GaAIAs多量子井技术,典型正向电压为1.3V;850nm VSMG10850采用双异质技术,正向电压为1.4V。

VEMD10940F光电二极管具有一个匹配VSMG10850和VSMB10940等830nm~950nm红外发射器的日光滤光片。器件的反向光电流为3µA,暗电流为1nA,峰值敏感度波长为920nm,光电流的温度系数低至0.1%/K。

VSMG10850、VSMB10940和VEMD10940F的外形很低,适合用在打印机显示屏、电子书阅读器、智能手机、平板电脑、超级本和GPS导航仪等设备的红外触摸板当中。器件可以在车间存放168小时,潮湿敏感度等级达到J-STD-020规定的3级。发射器和光电二极管支持无铅回流焊,并符合Vishay的绿色标准。

新款红外发射器和光电二极管现可提供样品,并已实现量产,供货周期为六周到八周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。

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