飞思卡尔新推GaAs单片微波集成电路控制电路
2013-05-31 11:39:57 来源:大比特商务网 点击:1600
【哔哥哔特导读】射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出一种先进的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)控制电路,专门用于优化飞思卡尔AirfastDoherty放大器的性能。
摘要: 射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出一种先进的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)控制电路,专门用于优化飞思卡尔AirfastDoherty放大器的性能。
关键字: 飞思卡尔,Doherty校准模块,放大器,基站
射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出一种先进的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)控制电路,专门用于优化飞思卡尔AirfastDoherty放大器的性能。
新的先进的Doherty校准模块(ADAM)MMDS20254H能够更准确地校准大功率Doherty放大器的载波与峰值路径上的相位和振幅,从而提高整体基站性能。该先进技术还有助于提高能效,同时提高整个蜂窝频段的性能。
飞思卡尔副总裁兼射频事业部总经理RituFavre表示,“Doherty放大器优化将是一个具有挑战性、比较耗时且工作量较大的过程。我们最新的ADAM产品具有非常先进的功能,证明我们深刻了解射频工程师目前所面临的设计挑战和问题。MMDS20254H解决方案提供了必要的先进技术和全面的支持,能够帮助射频工程师优化飞思卡尔业界领先的Airfast射频功率产品组合的性能。”
随着TD-LTE和W-CDMA的广泛部署,Doherty放大器成为了行业标杆,重新获得了业界重视,能够在放大与这些流行协议相关的信号类型时提供高功率附加效率。飞思卡尔MMDS20254HADAM器件提供卓越的线性/效率平衡,同时提高了输出功率。该解决方案包括一个耦合器、数字可选移相器和步进衰减器,可使用单电压电源运行。MMDS20254H适用于W-CDMA和LTE等传输协议,工作频率为1800至2200MHz,可以使用SPI接口进行控制。
产品信息
飞思卡尔MMDS20254HADAM是一款GaAsMMIC产品,基于E-pHEMT和InGaPHBT技术。该器件采用符合RoHS的业界标准的6mmQFN封装,允许在1800至2200MHz的范围内调整相位和峰值。
MMDS20254HADAM的端口2和端口3频率相同(500MHz带宽),二者之间有恒定90度的相位偏移量。在不同条件下(包括功率电平、电源电压和温度)可进行数字调整,以优化功率放大器的性能。
定价和供货信息
MMDS20254H现已供货。可应请求为符合条件的客户提供一个囊括了ADAM评估板、SPI接口板、控制软件及快速入门指南的全面评估套件。如需更多信息,请联系当地飞思卡尔销售办事处或访问www.freescale.com/ADAM。
关于飞思卡尔半导体
飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)是嵌入式处理解决方案的全球领导者,提供业界领先的产品,不断提升汽车、消费电子、工业和网络市场。我们的技术从微处理器和微控制器到传感器、模拟集成电路和连接,它们是我们不断创新的基础,也使我们的世界更环保、更安全、更健康以及连接更紧密。我们的一些主要应用和终端市场包括汽车安全、混合动力和全电动汽车、下一代无线基础设施、智能能源管理、便携式医疗器件、消费电器以及智能移动器件等。公司总部位于德克萨斯州奥斯汀市,在全世界拥有多家设计、研发、制造和销售机构。
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