广告
广告
联电与IBM将再度联手 开发10奈米CMOS制程技术
您的位置 资讯中心 > 产业新闻 > 正文

联电与IBM将再度联手 开发10奈米CMOS制程技术

2013-06-19 10:49:29 来源:大比特商务网 点击:2022

【哔哥哔特导读】晶圆代工大厂联电(UMC)日前与IBM共同宣布,将再度联手合作,共同开发10奈米CMOS制程技术。联电此次的加盟,延长了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。

摘要:  晶圆代工大厂联电(UMC)日前与IBM共同宣布,将再度联手合作,共同开发10奈米CMOS制程技术。联电此次的加盟,延长了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。

关键字:  CMOSFinFET联华电子

晶圆代工大厂联电(UMC)日前与IBM共同宣布,将再度联手合作,共同开发10奈米CMOS制程技术。联电此次的加盟,延长了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。

联华电子与IBM

联电加入IBM技术开发联盟

拥有IBM的支援与know-how,联电将可持续提升其内部自行研发的14奈米FinFET技术,针对行动运算与通讯产品,提供富竞争力的低耗电优化技术。双方计划开发10奈米CMOS制程基础技术,以满足联电客户的需求。联电将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼(Albany,NewYork)的10奈米研发计划,而联电14奈米FinFET与10奈米未来的制造,则将于该公司位在台湾南科的研发中心进行。

IBM半导体研发副总GaryPatton表示:「IBM联盟成立至今已逾十年,联盟夥伴可整合运用我们的专业知识,团队研究合作与创新的技术研发,藉此满足对先进半导体应用产品与日俱增的需求。联华电子的加入,将使联盟的实力更加强大。」

联电执行长颜博文表示:「与IBM这样的半导体技术领导者合作无疑可以吸取到丰富的经验和技术,而联华电子也将贡献我们多年来开发高竞争力制造技术所累积的经验。联华电子十分高兴与IBM携手开拓先进制程领域,以实现客户次世代晶片设计的使命与承诺。我们期待与IBM密切合作,借重其深厚的技术专业,为联华电子与我们的客户缔造双赢。」

声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,我们将及时更正、删除,谢谢。

阅读延展
CMOS FinFET 联华电子
  • CMOS图像传感器为自动驾驶汽车提供视觉感知

    CMOS图像传感器为自动驾驶汽车提供视觉感知

    要实现全自动驾驶汽车,需要整合来自多种传感器的信息,其中摄像头的信息可能是最重要的。这些摄像头必须能够在各种条件下连续捕捉最微小的细节,以确保车辆乘客和其他道路使用者的安全。本文将探讨在选择图像传感器时需要注意的关键特性,以便为自动驾驶汽车提供所需的出色功能组合。

  • 纳芯微推出高可靠、高精度和低功耗的温湿度传感器NSHT30

    纳芯微推出高可靠、高精度和低功耗的温湿度传感器NSHT30

    2023年5月10日,上海——纳芯微今日宣布推出基于CMOS-MEMS的相对湿度(RH)和温度传感器NSHT30。

  • 安森美的智能成像方案使道路更安全

    安森美的智能成像方案使道路更安全

    随着汽车中的高性能 CMOS 成像、激光雷达等智能感知配置的增加,汽车自动驾驶水平在不断提高,同时减少交通事故伤亡,提高道路安全性。领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)提供全系列智能感知方案。

  • 低压全桥无刷直流电动机驱动器

    低压全桥无刷直流电动机驱动器

    A1441是一种设计用于驱动低压双极无刷直流电动机的全桥驱动器,该器件采用高集成度双极CMOS半导体工艺把霍尔元件和电动机控制电路集成在一个单片上。

  • 芯片发展逐渐逆袭 如一哥格科微芯片

    芯片发展逐渐逆袭 如一哥格科微芯片

    随着全球芯片的局势,国内消费者对芯片关注度越来越高,国产芯片企业也不例外,据2021年一季度数据统计表示,我国的CMOS芯片一哥格科微已在全球CMOS芯片市场获得第一名。

  • 什么是JESD204标准,为什么我们要重视它?

    什么是JESD204标准,为什么我们要重视它?

    JESD204接口可提供这种高效率,较之其前代互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压差分信号(LVDS)产品在速度、尺寸和成本方面更有优势。

  • Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片

    Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片

    高性能模拟、混合信号、处理知识产权(IP)以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin Design,成功流片了首款包含最先进音频IP的12纳米FinFet测试芯片,达到一个重要里程碑。

  • 自我实现预言 半导体行业革命还在继续

    自我实现预言 半导体行业革命还在继续

    在半导体性能创新方面,专家们正专注于三个方面:高级的新材料,比如石墨烯和取代硅的碳纳米管;基于3D堆叠的半导体工艺技术;结合存储器和非存储器芯片的单芯片方案。通过成功制造3D NAND闪存和14 nm的FINFET,三星电子已经开始新的探索。存储器和非存储器芯片之间的集成还在持续。

  • 联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片

    联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片

    在Synopsys 的协助下,台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm 制程FinFET产品的制造,而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了一步,当然流片完成之后还需要对过程工艺等等项目进行完善和改进,还有大量工作要做。

  • 联电加盟IBM10奈米CMOS制程阵营

    联电加盟IBM10奈米CMOS制程阵营

    晶圆代工大厂联电(UMC)日前与IBM共同宣布,将再度联手合作,共同开发10奈米CMOS制程技术。联电此次的加盟,延长了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。

  • Altera14奈米三闸极电晶体制程有望明年启动量产

    Altera14奈米三闸极电晶体制程有望明年启动量产

    Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程,生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC FPGA),Altera亦不干示弱,于日前宣布将于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA测试晶片,预计于2014年正式投产14奈米SoC FPGA

  • Xilinx与台积公司合作采用16FinFET工艺联手打造拥有最快上市最高性能优势的FPGA器件

    Xilinx与台积公司合作采用16FinFET工艺联手打造拥有最快上市最高性能优势的FPGA器件

    近日,中国北京讯 — 赛灵思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )和台积公司公司(TWSE: 2330, NYSE: TSM)今天共同宣布联手推动一项赛灵思称之为“FinFast”的专项计划,采用台积公司先进的16纳米FinFET (16FinFET)工艺打造拥有最快上市、最高性能优势的FPGA器件。双方分别投入所需的资源组成一支专属团队,针对FinFET工艺和赛灵思Ul

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
粤B2-20030274号   Copyright Big-Bit © 2019-2029 All Right Reserved 大比特资讯 版权所有     未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任