东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
2013-07-12 15:13:50 来源：21ic 点击：1190
【哔哥哔特导读】东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和功率管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。
摘要： 东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和功率管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。
东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和功率管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导通电阻，可减少设备的传导损失。
东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
主要特性
1. 采用第八代工艺打造，实现低导通电阻。
2. 采用TSON Advance封装，具有很好的导热性。
3. 高雪崩电阻。
主要规格
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