Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET
2013-07-15 15:46:45 来源:大比特商务网 点击:1684
【哔哥哔特导读】日前,Vishay Intertechnology宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
摘要: 日前,Vishay Intertechnology宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻,是首款-40V P沟道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。
SiS443DN和SiSS27DN适用于24V、19V和12V负载开关,以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器和电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先,使设计者能够在电路里实现更低的压降,更有效地使用能源,并延长电池使用时间。
在需要更高电压的应用里,3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封装的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合,SiSS27DN提供了极低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)导通电阻,采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封装。
SiS443DN和SiSS27DN进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。
新款P沟道MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
本文为哔哥哔特资讯原创文章,未经允许和授权,不得转载,否则将严格追究法律责任;
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列新型浪涌限流正温度系数(PTC)热敏电阻---PTCEL。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管。
2021年3月8日-3月12日,本周精选新品速递来袭,详情请查看下文。
2020年11月15日-21日,Vishay推出新型汽车级接近传感器,压力感测分辨率高达20 µm;Nordic助力多协议游戏键盘中枢支持低延迟游戏主机、手机和PC游戏;意法半导体携手施耐德电气揭秘AI人流量监测解决方案等。以下是本周新品详情。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年10月28日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列低阻抗、汽车级小型铝电解电容器--- 170 RVZ,纹波电流高达3.8 A,可在+105 °C高温下工作,105°C条件下使用寿命长达10,000小时。
近年来,在新能源汽车对车规级汽车电子要求和需求量双重提高的背景下,一些磁件企业不断加大研发投入,倾力打造符合当下汽车需求的电感器。
第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
发表评论