Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET
2013-07-15 15:46:45 来源：大比特商务网 点击：1703
【哔哥哔特导读】日前，Vishay Intertechnology宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
摘要： 日前，Vishay Intertechnology宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40V P沟道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。
SiS443DN和SiSS27DN适用于24V、19V和12V负载开关，以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器和电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先，使设计者能够在电路里实现更低的压降，更有效地使用能源，并延长电池使用时间。
在需要更高电压的应用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封装的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合，SiSS27DN提供了极低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)导通电阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封装。
SiS443DN和SiSS27DN进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。
新款P沟道MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
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