广告
广告
LED路灯驱动电源设计的五点忠告
您的位置 资讯中心 > 行业资讯 > 正文

LED路灯驱动电源设计的五点忠告

2013-07-15 16:22:50 来源:大比特商务网 点击:1218

【哔哥哔特导读】LED灯具要普及,不但需要大幅度降低成本,更需要解决能效和可靠性的难题,如何解决这些难题,PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED灯具设计的五点忠告。

澳大利亚已经率先禁止使用白炽灯,这为LED灯具的大规模普及揭开了序幕,另外,随着欧盟各国、日本、加拿大等国家将在2012年禁止使用白炽灯,LED灯具的照明普及率会进一步提升,这让掘金绿色照明革命的中国数千家LED灯具厂商欢欣鼓舞――因为一个巨大的市场就要开启,而这次唱主角的是中国厂商。不过,应当看到,LED灯具要普及,不但需要大幅度降低成本,更需要解决能效和可靠性的难题,如何解决这些难题,PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED灯具设计的五点忠告。

一、不要使用双极型功率器件

DougBailey指出由於双极型功率器件比MOSFET便宜,一般是2美分左右一个,所以一些设计师为了降低$LED驱动成本而使用双极型$功率器件,这样会严重影响电路的可靠性,因为随着LED驱动电路板温度的提升,双极型器件的有效工作范围会迅速缩小,这样会导致器件在温度上升时故障从而影响LED灯具的可靠性,正确的做法是要选用$MOSFET器件,MOSFET器件的使用寿命要远远长於双极型器件。

二、MOSFET的耐压不要低於700V

耐压600V的MOSFET比较便宜,很多认为LED灯具的输入电压一般是220V,所以耐压600V足够了,但是很多时候电路电压会到340V,在有浪涌的时候,600V的MOSFET很容易被击穿,从而影响了LED灯具的寿命,实际上选用600VMOSFET可能节省了一些成本但是付出的却是整个电路板的代价,所以,“不要选用600V耐压的MOSFET,最好选用耐压超过700V的MOSFET.”他强调。

三、尽量不要使用电解电容

LED驱动电路中到底要不要使用电解电容?目前有支持者也有反对者,支持者认为如果可以将电路板温度控制好,依次达成延长电解电容寿命的目的,例如选用105度寿命为8000小时的高温电解电容,根据通行的电解电容寿命估算公式“温度每降低10度,寿命增加一倍”,那麽它在95度环境下工作寿命为16000小时,在85度环境下工作寿命为32000小时,在75度环境下工作寿命为64000小时,假如实际工作温度更低,那麽寿命会更长!由此看来,只要选用高品质的电解电容对驱动电源的寿命是没有什麽影响的!

还有的支持者认为由无电解电容带来的高纹波电流而导致的低频闪烁会对某些人眼造成生理上的不适,幅度大的低频纹波也会导致一些数码像机设备出现差频闪烁的亮暗栅格。所以,高品质光源灯具还是需要电解电容的。不过反对者则认为电解电容会自然老化,另外,LED灯具的温度极难控制,所以电解电容的寿命必然会减少,从而影响LED灯具的寿命。

对此,DougBailey认为,在LED驱动电路输入部分可以考虑不用电解电容,实际上使用PI的LinkSwitch-PH就可以省去电解电容,PI的单级PFC/恒流设计可以让设计师省去大容量电容,在输出电路中,可以用高耐压陶瓷电容来代替电解电容从而提升可靠性,“有的人在设计两级电路的时候,在输出采用了一个400V的电解电容,这会严重影响电路的可靠性,建议采用单级电路用陶瓷电容就可以了。”他强调。“对於不太关注调光功能、高温环境及需要高可靠性的工业应用来说,我强烈建议不采用电解电容进行设计。”

四、尽量使用MOSFET器件

如果设计的LED灯具功率不是很高,Doug建议使用集成了MOSFET的LED驱动器产品,因为这样做的好处是集成MOSFET的导通电阻少,产生的热量要比分立的少,另外,就是集成的MOSFET是控制器和FET在一起,一般都有过热关断功能,在MOSFET过热时会自动关断电路达到保护LED灯具的目的,这对LED灯具非常重要,因为LED灯具一般很小巧且难以进行空气散热。“有的时候会发生LED因过热燃烧伤人的情况,但是我们的方案从来不会这样的。”他表示。

五、尽量使用单级架构电路

Doug表示有些LED电路采用了两级架构,即“PFC(功率因数校正)+隔离DC/DC变换器”的架构,这样的设计会降低电路的效率。例如,如果PFC的效率是95%,而DC/DC部分的效率是88%,则整个电路的效率会降低到83.6%!“PI的LinkSwitch-PH器件同时将PFC/CC控制器、一个725VMOSFET和MOSFET驱动器集成到单个封装中,将驱动电路的效率提升到87%!”Doug指出,“这样的器件可大大简化电路板布局设计,最多能省去传统隔离反激式设计中所用的25个元件!省去的元件包括高压大容量电解电容和光耦器。”Doug表示LED两级架构适用於必须使用第二个恒流驱动电路才能使PFC驱动LED恒流的旧式驱动器。这些设计已经过时,不再具有成本效益,因此在大多数情况下都最好采用单级设计。

本文为哔哥哔特资讯原创文章,未经允许和授权,不得转载,否则将严格追究法律责任;

阅读延展
LED驱动 功率器件 MOSFET器件
  • 低噪声+高功率密度 电源行业先进器件和应用

    低噪声+高功率密度 电源行业先进器件和应用

    ADI公司专为汽车设计的电源产品覆盖汽车座舱电子和信息娱乐系统、车辆自动驾驶和安全、汽车LED驱动器以及电池管理和动力总成等电气化系统,确保其符合ASIL框架。不同的产品可以实现不同的功能,包括电压调节、直流转换等

  • 直流调光,深度达千分之一!芯格诺LED驱动数字电源芯片打开创新视界

    直流调光,深度达千分之一!芯格诺LED驱动数字电源芯片打开创新视界

    近日,芯格诺(X-Signal Integrated)推出了倍受期待的LED驱动数字电源芯片新品XP2115和XP2116,采用全程直流(DC)调光技术,将调光深度推进至千分之一,调光分辨率更是高达16bit(十万分之二),其出色的柔和调光表现获得了广大商业照明行业客户的高度认可。

  • NFC无线灵活配置LED驱动电源

    NFC无线灵活配置LED驱动电源

    从而减少驱动电源的种类,缩短开发周期,降低库存,缩短交货时间。如有需要,最终用户也可以重新配置驱动电源来适配LED灯具。

  • 可用于多种车载照明的超亮度LED

    可用于多种车载照明的超亮度LED

    一块细小的电路板(22x12mm),却是一个能输出1A或2.2A恒定电流的高效率LED驱动器。通过一白色的LED矩阵能形成非常光亮的车灯照明,或做成强光的手电筒或其他光源,其驱动电源可采用锂离子电池组或锂钋(LiPo)电池组。还具有亮度可调控功能和闪光功能,这是一个结构先进、配置紧凑的现代化设计。

  • 展商推介|美芯晟,为智能照明打造优质芯产品

    展商推介|美芯晟,为智能照明打造优质芯产品

    美芯晟将携五款LED驱动芯片参展。

  • 展商推介 | Link-Dim™,助力智能照明 “芯”升级

    展商推介 | Link-Dim™,助力智能照明 “芯”升级

    AIot时代的到来,LED照明的智能化产品不断衍生,必易微电子深耕于智能照明 LED 驱动控制芯片开发,将携带最新产品亮相大比特第41届(中山)AIoT&智能照明与驱动技术研讨会。

  • 功率器件企业Q3业绩亮眼,押中哪些赛道?

    功率器件企业Q3业绩亮眼,押中哪些赛道?

    近日,多家国内功率器件上市企业发布了第三季度报,从成绩上看,功率器件上市企业整体营收向好,提高利润将成为多家企业下个发力方向。

  • 国内功率器件四巨头2024上半年业绩亮眼

    国内功率器件四巨头2024上半年业绩亮眼

    2024年上半年,士兰微、新洁能、扬杰科技与捷捷微电等在营收和净利润上表现亮眼,积极布局新能源汽车、AI服务器等新兴市场,展现了国内功率器件企业的强劲增长势头。

  • 电动工具研讨会展商阵容揭晓,您的元器件选型指南!

    电动工具研讨会展商阵容揭晓,您的元器件选型指南!

    面对日益激烈的市场竞争,如何让您的电动工具脱颖而出?PI、MPS等多家知名元器件厂商将带来最新产品,覆盖MCU、电源管理芯片、功率器件等多个领域,助您一站式选型!

  • 高频电感绕组损耗的测量与分析

    高频电感绕组损耗的测量与分析

    随着第三代半导体功率器件的迅速发展,功率变换器中更高频磁元件的应用将越来越普及,国内外频率高达MHz的磁元件损耗评测量鲜有研究。现有高频绕组损耗测量方法难以体现磁元件实际工况对绕组损耗的影响。

  • 碳化硅SiC第三代半导体材料

    碳化硅SiC第三代半导体材料

    碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有宽禁带的特性,从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。

  • 12家功率器件大厂年度业绩排名出炉!谁在冲刺?谁在掉队?

    12家功率器件大厂年度业绩排名出炉!谁在冲刺?谁在掉队?

    过去几年,功率半导体市场逆势增长,但2023年增速放缓,竞争加剧,价格战泥沼,部分厂商利润暴跌。

  • 英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准

    英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准

    为了应对相应的挑战,英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET器件适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。

  • PowiGaN IC市场技术的先行者

    PowiGaN IC市场技术的先行者

    人们常说一句,市场上没有永远的真正赢家。一直以来功率MOSFET器件在模拟电路与数字电路中都占据着主导位置,但随着技术的不断进步,GaN功率器件的出现逐渐在挑战其他功率器件的地位。

  • 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

    基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

    本文介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。

  • 意法半导体STRVS系列防止多重电涌攻击MOSFET器件

    意法半导体STRVS系列防止多重电涌攻击MOSFET器件

    意法半导体STRVS重复电压电涌保护器配备工程师优化电路保护功能所需的全部资料信息,并符合成本和能效目标。

  • 安森美半导体推出两款新的MOSFET器件

    安森美半导体推出两款新的MOSFET器件

    2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 推出两款新的MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。

  • ADP2384/ADP2386:降压DC/DC控制器参考方案

    ADP2384/ADP2386:降压DC/DC控制器参考方案

    ADI公司的ADP2384/ADP2386是两款4mm×4mm LFCSP封装的高效、同步降压DC/DC稳压器,内部集成一个44mΩ的高边检测功率MOSFET及一个11.6mΩ(ADP2384)、11mΩ(ADP2386)的同步整流MOSFET器件。

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
粤B2-20030274号   Copyright Big-Bit © 2019-2029 All Right Reserved 大比特资讯 版权所有     未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任