广告
广告
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
您的位置 资讯中心 > 新品速递 > 正文

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

2013-08-19 12:00:45 来源:大比特半导体器件应用网 点击:1294

【哔哥哔特导读】致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT

摘要:  致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。

美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率,与最接近竞争厂商的IGBT产品相比,效率提高了大约8%。新的NPT IGBT器件还能够实现高达150 kHz的极高开关速率,在与美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)续流二极管(free-wheeling diode)配对使用时,开关速率可以获得进一步提高。针对最高150 KHz的较低速率应用,这些领先的650V NPT IGBT通过替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,可让开发人员降低总体系统成本。

下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的Power MOS 8 技术,并且采用了最先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。与竞争解决方案相比,显著降低了总体开关损耗,并且可让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市场的丰富传统,美高森美期望扩大IGBT市场份额,根据Yole Développem ent最新报告,这个市场正从现今的36亿美元增长到2018年的60亿美元。

这些NPT IGBT器件易于并联(Vcesat正温度系数),可以提升大电流模块的可靠性。它们还具有额定短路耐受时间(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在严苛的工业环境中可靠运作。

 

本文由大比特收集整理(www.big-bit.com

本文为哔哥哔特资讯原创文章,未经允许和授权,不得转载,否则将严格追究法律责任;

阅读延展
IGBT MOSFET器件
  • 英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准

    英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准

    为了应对相应的挑战,英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET器件适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。

  • PowiGaN IC市场技术的先行者

    PowiGaN IC市场技术的先行者

    人们常说一句,市场上没有永远的真正赢家。一直以来功率MOSFET器件在模拟电路与数字电路中都占据着主导位置,但随着技术的不断进步,GaN功率器件的出现逐渐在挑战其他功率器件的地位。

  • 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

    基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

    本文介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。

  • 意法半导体STRVS系列防止多重电涌攻击MOSFET器件

    意法半导体STRVS系列防止多重电涌攻击MOSFET器件

    意法半导体STRVS重复电压电涌保护器配备工程师优化电路保护功能所需的全部资料信息,并符合成本和能效目标。

  • 安森美半导体推出两款新的MOSFET器件

    安森美半导体推出两款新的MOSFET器件

    2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 推出两款新的MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。

  • ADP2384/ADP2386:降压DC/DC控制器参考方案

    ADP2384/ADP2386:降压DC/DC控制器参考方案

    ADI公司的ADP2384/ADP2386是两款4mm×4mm LFCSP封装的高效、同步降压DC/DC稳压器,内部集成一个44mΩ的高边检测功率MOSFET及一个11.6mΩ(ADP2384)、11mΩ(ADP2386)的同步整流MOSFET器件。

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
粤B2-20030274号   Copyright Big-Bit © 2019-2029 All Right Reserved 大比特资讯 版权所有     未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任