IR创新功率MOSFET适合DC-DC同步降压应用
2013-08-23 11:45:28 来源：大比特半导体器件应用网
【哔哥哔特导读】国际整流器公司推出创新功率区块元件系列首两款产品 IRFH4251D 及 IRFH4253D ，适用于先进的电信与网路通讯设备、伺服器、显示卡、桌上型电脑、超轻薄笔电和笔记型电脑等DC-DC同步降压应用。
摘要： 国际整流器公司推出创新功率区块元件系列首两款产品 IRFH4251D 及 IRFH4253D ，适用于先进的电信与网路通讯设备、伺服器、显示卡、桌上型电脑、超轻薄笔电和笔记型电脑等DC-DC同步降压应用。
新款25V IRFH4251D 及 IRFH4253D 配备IR新一代矽技术，并采用了崭新的5x6 mm PQFN 封装，提供功率密度新基准。全新功率区块元件具有整合式单片 FETKY ，而且破天荒采用包含了顶尖的覆接晶片技术的封装，有效把同步 MOSFET 源直接连接到印刷电路板的地线层散热。任何一枚5x6 mm封装新型元件可凭藉强化的散热效能和功率密度，取代两个5x6 mm封装的标准独立元件。
此外，全新封装备有已在 PowIRStage 与 SupIRBuck 产品内广泛使用的IR专利单铜弹片，以及经过最佳化的布线，有助于大幅减少杂散电感，以降低峰值鸣震。这样设计师就可选用25V MOSFET ，代替效率较低的30V元件。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：「 IRFH4251D 及 IRFH4253D 功率MOSFET具备顶级的矽技术和多项崭新功能，加上采用了突破性封装，为高效能 DC-DC 开关应用提供产业领先的功率密度。这些元件使用效率更胜一筹的布线，必可树立 DC-DC 双 MOSFET 的新产业标准。」
IRFH4251D 及 IRFH4253D 旨在最佳化5V闸极驱动应用，可与各种控制器或驱动器共同作业，因而带来设计灵活性，并且比采用了两个分离式30V功率 MOSFET 的同类型解决方案，更能以较小的占用面积实现高电流、效率和频率。
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