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碳化硅SiC第三代半导体材料
文件类型:PDF文档
文件大小:未知
更新日期:2024-07-26 15:58:03
浏览次数:
6067
下载次数:
5
详细介绍
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有宽禁带的特性,从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
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