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碳化硅SiC第三代半导体材料

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  • 更新日期：2024-07-26 15:58:03
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碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
 
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