采用金属氧化物法制备的MgCuZn软磁铁氧体材料具有高初始磁导率、高阻抗、高居里温度、成本低等特点，在满足应用前提下，可广泛替代成本昂贵的NiZn/NiCuZn软磁铁氧体，制造EMI磁芯。随着信息技术在军事和民用领域的高速发展，EMI（电磁干扰）对军事秘密、人身安全和公共环境的影响与危害越来越严重。在电子设备中使用NiZn/NiCuZn软磁铁氧体制成的各种EMI磁芯，对于抗EMI有良好的效果。
由于铁氧体原材料的价格近年不断攀升，氧化亚镍的价格也成倍上涨，以氧化亚镍为主要原材料的NiZn/ NiCuZn软磁铁氧体的成本亦随之大幅增加。面对日益增加的成本压力，各EMI磁芯的软磁铁氧体生产厂家积极寻求降低成本的方法，其中MgZn/MgCuZn软磁铁氧体以其低廉的成本优势备受关注。本文使用MgZn/MgCuZn配方，通过金属氧化物法制备的JM1K（深宁公司材料型号）软磁铁氧体材料，具有高初始磁导率、高阻抗、高居里温度等特点，可广泛地替代相近磁导率的NiZn/NiCuZn软磁铁氧体，制造EMI磁芯。
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