SiC MOSFET在光伏发电系统中的应用__下载

SiC MOSFET在光伏发电系统中的应用

文件类型：PDF文档
更新日期：2020-09-04 09:38
浏览次数：4181
下载次数：41

详细介绍

本文通过介绍 SiC 材料及 SiC 功率器件特性，指出 SiC 功率器件非常适合高频、高压化。文章通过设计一台额定输入功率 5.4kW、开关频率 30kHz 的光伏 boost 变换器，分析计算 SiC-MOSFET 损耗远远低于 Si-MOSFET 和 Si-IGBT 损耗。使用 SiC-MOSFET 的光伏发电系统具有转换效率高、发电量高的优势。

现代电力电子技术以高压、高频方向为发展趋势。Si-IGBT 虽然可以做到高压，但其开关频率受到限制，很难高频化。Si-MOSFET 虽然可以达到高频化，但其大工作电压受到限制。Si 材料的功率器件已很难满足电力电子技术高压、高频化的发展趋势。比起 Si 半导体材料，SiC 半导体材料具有更高的禁带宽度、更高的雪崩临界击穿电场、更高的热导率等优点，故 SiC 功率器件是高压、高频化的佳选择。随着 SiC 技术的成熟，目前 SiC 功率肖特基二极管及 SiC-MOSFET 已经商业化，较大规模的应用在电力电子行业的各个领域。

尽管 SiC-MOSFET 具有损耗低、转换效率高等优势，但在具体应用时，SiC-MOSFET 也存在一些问题。在使用 SiC-MOSFET 时，驱动串扰及并联驱动震荡问题值得关注及研究。

详细内请查看附件