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应用于高效率、高电压开关电源的GaN场效应晶体管

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更新日期：2024-02-02 11:31
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详细介绍

面对社会的需要和系统调节要求，电源的效率都是电子系统中优先考虑的因数，尤其是从电动汽车（EV）到高压通讯，以及工业基础设施整个应用范围，电源的转换效率和功率密度，对于一个成功的设计来说都是关键。

面对社会的需要和系统调节要求，电源转换效率都是电子系统中优先考虑的因数，尤其是从电动汽车(EV)到高压通讯，以及工业基础设施整个应用范围，电源转换效率和功率密度，对于一个成功的电源设计来说都是关键。为适应这些要求，开关式电源的设计者必须转变思路：从传统的硅基(Si)金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的利用(因其已很快接近理论极限)，取而代之，应考虑采用基于宽带隙(WBG)的材料，例如将氮化镓(GaN)用于功率器件。GaN器件较之Si器件，电源开关速度更快，可操控更高的电压和功率。对于给定的功率级，体积要小得多，并能以很高的电源效率运行。

本文对GaN FET的基本性能进行了验证，在开关式电源的功率电路中，已显示出超越传统Si器件的优越性，对其电源应用也进行了讨论。

在硅基底上的GaN FET横断面