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新型高性能ZnO-Cr2O3系压敏变阻器

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  • 更新日期:2025-03-12 14:16
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详细介绍
ZnO压敏变阻器具有良好的非线性伏安特性,可用来抑制瞬态过电压和吸收浪涌电压,被广泛应用于电子线路和电力系统。然而,传统ZnO-Bi2O3,ZnO-V2O5,ZnO-Pr6O11系压敏变阻器存在元素易挥发、与Ag-Pd电极反应、非线性系数低、有毒等不利因素,因此研发新型高性能ZnO压敏变阻器显得十分必要。

压敏变阻器的电阻值会随外加电压的变化而变化,即压敏变阻器在低电压下呈现高阻态,当施加电压超过特定阈值后,电阻值显著减小,其非线性的电流-电压(IV)特征通常用幂律函数I=bVα表示,其中b为常数,α为非线性系数,利用这种非线性的IV特性,压敏变阻器常被用于抑制瞬态过电压,起到过电压保护的作用。1-3良好的压敏性能需要高α值和低泄漏电流(IL),α越高代表稳压效果越好,低IL值表示压敏变阻器具有低损耗,预示着更好的使用寿命。4

为了满足不同的应用需求,除了α和IL外,还需要压敏变阻器具有适当的压敏电压(Eb)。压敏变阻器的Eb是单位厚度所有晶界(GBs)击穿电压之和,其大小与晶粒大小直接相关。因此,调控晶粒大小是制备不同Eb压敏变阻器的重要方法。在高压直流输电和重型供电系统中,为了获得较小的器件尺寸就需要高Eb。然而,Eb的增加往往会使α和IL同时劣化。3,5目前研究较多的ZnO基压敏变阻器,通常以Bi2O3、V2O5和Pr6O11作为形成非线性伏安特性的添加剂,为了进一步提高性能还需要添加相应的性能增强添加剂,如Sb2O3、Co2O3、MnO4、NiO等。其中,ZnO-Bi2O3系压敏变阻器是目前性能较佳的体系材料,已经商业化应用。目前商业化的ZnO-Bi2O3系压敏变阻器的α值通常小于30,IL值高于1μA/cm2Eb值在200−500V/mm范围内。6-8

本研究研发了一种新型的高性能ZnO-Cr2O3系压敏变阻器,它使用Cr2O3作为形成非线性伏安特性的添加剂,Ca、Co和Sb作为增强性能的添加剂。该新型ZnO-Cr2O3系压敏变阻器具有极高的非线性系数;极低的IL值,小于0.2μA/cm2;较高的Eb值为925V/mm,表现出优异的压敏性能。此外,该体系材料不含有挥发性元素、有毒元素以及昂贵的稀土元素。9

ZnO-Cr2O3系压敏陶瓷的显微结构和电学性能。(a)ZnO的晶界高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)图像,插图为晶界处的EDS图谱。(b)ZnO-0.2%Cr2O3压敏陶瓷的晶粒和晶界微区拉曼光谱。(c)添加不同数量添加剂的ZnO-Cr2O3系压敏陶瓷的J−E图。(d)ZnO-Cr2O3系压敏变阻器的非线性系数与其他三种体系对比图。

 

 

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