USB3.0有望被纳入下一代芯片-芯片介面标准
2011-05-06 09:35:46 来源:大比特半导体器件网 点击:1029
【哔哥哔特导读】这个‘超高速晶片间规范’(Superspeed Inter-Chip, SSIC)最初预计支援1.2~2.9Gb/s的实体层数据传输率,最终还希望延伸到5.8Gb/s。此外,它还为10Kb/s及600Mb/s之间的数据率规划了一个低功耗模式。
摘要: 这个‘超高速晶片间规范’(Superspeed Inter-Chip, SSIC)最初预计支援1.2~2.9Gb/s的实体层数据传输率,最终还希望延伸到5.8Gb/s。此外,它还为10Kb/s及600Mb/s之间的数据率规划了一个低功耗模式。
两个产业组织正计划整合他们的技术,目的是为下一代行动硅晶片定义出一种新的高速、低功耗晶片-晶片介面。两个组织分别是 USB 3.0 推动小组,以及 MIPI 联盟,他们希望在明年初完成初步的共同规范。
这个‘超高速晶片间规范’(Superspeed Inter-Chip, SSIC)最初预计支援1.2~2.9Gb/s的实体层数据传输率,最终还希望延伸到5.8Gb/s。此外,它还为10Kb/s及600Mb/s之间的数据率规划了一个低功耗模式。
SSIC的目标功耗大约是每b/s时1~5皮焦耳(picojoules),这主要取决于使用模式。在高速模式下,平均总功耗大约为20mW。
这项努力基本上结合了 M-PHY 规格,这是 MIPI 联盟定义的低功耗实体层技术,另外还包括媒体存取控制器以及更高层的USB 3.0 规范软体。 USB 3.0 推动小组旗下的工作小组成员包含了英特尔(Intel)、ST Ericsson和德州仪器(TI)大约在一个月开始商议该规范。
该工作小组目前正在决定要使用USB 3.0规范中的哪些部份做为选项,因为他们可能并不需要晶片介面。“我们希望用现有IP来降低设计成本和上市时间──这与软体再使用有关,”MIPI副主席暨TI OMAP产品经理Brian Carlson说。
SSIC的目标是成为晶片间连接(ICC)的后继规范,ICC是一种以480/Mb/s USB 2.0规格为基础的晶片介面规范,由晶片设计厂商SMSC所开发。SMSC已开始授权这项技术,并已与高通(Qualcomm)及超微(AMD)签署协议。而新的规范则可望免费提供给主控晶片设计业者,并以10万美元的一次性费用提供给週边晶片设计厂商。
SSIC可能会免费向所有採用 MIPI 联盟规范的会员,以及希望将它用在晶片中的USB 3.0推动小组免费开放。未来厂商们可以在合理和非歧视(reasonable and non-discriminatory, RAND)的基础上取得这项技术授权。
市场对晶片介面的需求相当明确。由于缺乏可提供高吞吐量、低功耗链接等特性的标准,多家应用处理器供应商已经设计了自有的下一代晶片介面。
MIPI联盟希望将其M-PHY打造为通用的晶片-晶片介面。事实上,它已经被指定为六项该联盟自有或仍待审核之互连标准的技术基础。JEDEC还採用M-PHY作为其UFS快闪记忆体介面的一部分。
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了解USB 3.0 对于连接器和电缆制造商在这个新的快节奏世界中茁壮成长至关重要。
ESD保护组件本身的寄生电容必须小于0.3pF,才不会影响USB3.0高达4.8Gbps的传输速率。
USB 3.0是最新的USB规范,该规范由英特尔(33.58, -0.24, -0.71%)等公司发起。USB 3.0的最大传输带宽高达5.0Gbps(即640MB/s),约为USB 2.0的十倍左右(USB 2.0约60MB/s)。想要观看超高清视频内容自然首先需要保证在读取存储设备时能够流畅、不卡顿的播放画面,所以目前来说只有配置了USB 3.0接口的4K电视才可正常播放4K片源内容。
USB是当今最成功的PC接口,安装数量超过60亿,在PC和接口设备上的普及率接近100%。虽然高速USB的480Mbps数据传输速度可满足许多消费者现有的需求,但是与日俱增需求(如高清视频和更快速的数码影音文件的下载)推动了SuperSpeed USB(3.0)的发展。
映泰 Hi-Fi Z77X 主板具有很高的规格,采用USB3.0接口,SATA3.0接口,PCI-E3.0显卡插槽,性能非常出色,为用户带来了很好实际体验效果。
东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出一款ESD[1]保护二极管“DF2B7M3SC”,其电容为同类[2]最低的0.1pF,可保护USB3.0/2.0、HDMI®、eSATA、DisplayPort、Thunderbolt™和其他高速数据线免遭ESD损害。该产品计划于2013年7月底投入量产。
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