华虹NEC的Super Junction工艺开发项目取得显著成果
2011-09-28 10:12:58 来源:半导体器件应用网 点击:1800
【哔哥哔特导读】早在2008年,华虹NEC就在8英寸代工厂中首家推出了400-800V的Trench(沟槽类型)结构的高压MOSFET工艺平台。2010年华虹NEC再接再厉,突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题,成功开发了一种新型SJNFET的制程工艺,从而突破了MOSFET 界所谓的“硅极限”(导通电阻正比于击穿电压的2.4~2.6次方),在同样的封装条件下能够实现更低的导通阻抗和更快的开关频率。
摘要: 早在2008年,华虹NEC就在8英寸代工厂中首家推出了400-800V的Trench(沟槽类型)结构的高压MOSFET工艺平台。2010年华虹NEC再接再厉,突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题,成功开发了一种新型SJNFET的制程工艺,从而突破了MOSFET 界所谓的“硅极限”(导通电阻正比于击穿电压的2.4~2.6次方),在同样的封装条件下能够实现更低的导通阻抗和更快的开关频率。
(上海,中国—2011年9月28日)世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今日宣布,凭借在MOSFET方面雄厚的技术实力和生产工艺,成功开发了新一代创新型MOSFET代工方案——600-700V Super Junction(超级结结构)MOSFET(SJNFET)工艺,并开始进入量产阶段。此SJNFET工艺平台的成功推出,标志着华虹NEC在功率分立器件领域取得了突破性进展,将为客户提供更丰富的工艺平台与代工服务。
早在2008年,华虹NEC就在8英寸代工厂中首家推出了400-800V的Trench(沟槽类型)结构的高压MOSFET工艺平台。2010年华虹NEC再接再厉,突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题,成功开发了一种新型SJNFET的制程工艺,从而突破了MOSFET 界所谓的“硅极限”(导通电阻正比于击穿电压的2.4~2.6次方),在同样的封装条件下能够实现更低的导通阻抗和更快的开关频率。
华虹NEC的SJNFET工艺平台是华虹NEC针对市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用而开发的,拥有开关速度更快、开关损耗更低、芯片面积更小、导通电阻更小等优点,是世界节能减排目标实现的重要功率半导体技术之一。目前已有多家国内外客户采用此平台实现量产,各项性能和指标达到并优于业界水平。
在功率分立器件领域,华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂,也是世界上出货量最大的厂家,截至目前,分立器件累计出货超过250万片8英寸晶圆。华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示,“Super Junction项目将进一步扩展丰富华虹NEC的工艺线,并且进一步巩固公司在功率分立器件领域的领先地位。华虹NEC将继续发挥自身工艺和研发优势,为促进和推进国内新型电力电子产业的发展而努力。”
关于华虹NEC:
上海华虹NEC电子有限公司成立于1997年7月,是中国大陆第一家8英寸晶圆厂,现已成为世界领先的专业集成电路晶圆代工企业。客户遍及中国大陆、中国台湾、韩国、日本以及美国等国家与地区。公司目前拥有两条8英寸生产线,月产能接近9万片。公司总部位于中国上海,在台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持。
华虹NEC为国内外客户提供涵盖1.0~0.13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务,专注于嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台以及逻辑、混合信号等通用工艺平台,代工产品已广泛应用于智能卡(第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等)、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。
华虹NEC为其客户提供全方位、全天候服务,包括各类技术支持、单元库与IP、版图验证、晶圆加工、晶圆测试、可靠性测试和失效分析等。此外,华虹NEC还可以透过其合作伙伴向客户提供包括掩膜版制作和封装测试在内的一站式服务。
华虹NEC先后通过了ISO9001质量管理体系、ISO14001环境管理体系、ISO27001信息安全管理体系、OHSAS18001职业健康安全管理体系认证,获得美国商务部产业和安全局(“BIS”) 的“经验证最终用户”(“VEU”) 授权,并且通过了TS16949体系符合性审核。华虹NEC由此具有更高的产品品质和信息安全性。
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