飞半导体与英飞凌科技签署创新的汽车级MOSFET H-PSOF TO-Leadless封装工艺许可协议;协议确保设计人员可获得可靠的创新封装技术供应渠道-哔哥哔特商务网

飞半导体与英飞凌科技签署创新的汽车级MOSFET H-PSOF TO-Leadless封装工艺许可协议;协议确保设计人员可获得可靠的创新封装技术供应渠道

2012-04-06 09:09:26 来源：半导体器件应用网点击：1052

【哔哥哔特导读】2012年4月5日，德国纽必堡与加州圣何塞——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。

摘要： 2012年4月5日，德国纽必堡与加州圣何塞——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。

关键字： 封装工艺， 飞兆半导体， 电池管理

2012年4月5日，德国纽必堡与加州圣何塞——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。

这种封装适用于大电流汽车应用，包括混合动力汽车的电池管理、电动助力转向系统(EPS)、主动式发电机和其他重载电气系统。TO-Leadless封装是首个实现300安培电流能力的封装。这种封装相对于现有的D2PAK，PCB板面积和高度分别降低20%和50%，从而大幅节省空间。

开发全新的启停系统、电动助力转向系统、电池管理和主动式发电机，以满足更苛刻的能效和排放要求的汽车电子公司，正在寻求各种创新解决方案，但他们还必须最大程度规避仅从一家供应商采购器件的风险。为确保可靠的器件供应，飞兆半导体与英飞凌签署该许可协议，旨在将领先业界的TO-Leadless MOSFET封装解决方案应用于汽车行业，同时最大程度降低从一家供应商采购器件的风险。

飞兆半导体公司计划将TO-Leadless功率器件封装工艺应用于其最新的MOSFET技术。采用TO-Leadless封装的首批MOSFET样品，预计将于2012年下半年开始提供，批量生产有望于2013年中期开始。

飞兆半导体汽车业务部副总裁Marion Limmer指出：“凭借多年来在汽车行业积累的丰富经验，飞兆半导体在满足当前各大汽车厂商的功率半导体需求方面，遥遥领先。通过采用这种TO-Leadless功率器件封装工艺，飞兆半导体帮助设计人员充分利用最新的低阻MOSFET技术，从而进一步提高我们在汽车市场的份额。”

英飞凌科技股份公司汽车电子业务部总裁Jochen Hanebeck表示：“拥有这个协议，汽车行业将受益于从其他可靠供应商订购空间、能效及性能方面具备优势的大电流功率器件。作为汽车功率应用技术的领导者，英飞凌利用其技术专长为汽车系统供应商提供可提高能效和性能的MOSFET，同时还可最大程度降低从一家供应商采购的风险。”

飞兆半导体与世界领先的汽车制造商和系统供应商合作，开发出广泛支持汽车应用的半导体解决方案，包括优化现代汽车的电源管理架构、降低燃耗和环境污染等等。

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