富士通半导体推出收发器家族全新LTE优化多频单芯片MB86L13A
2012-04-16 14:01:29 来源：半导体器件应用网
【哔哥哔特导读】2012年4月16日 – 富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出MB86L13A LTE(FDD和TDD)优化收发器。该全新收发器为面向LTE专向应用开发，采用富士通开拓的RFIC设计架构，无需外部的低噪声放大器(LNAs)和级间声表面波(SAW)滤波器，可覆盖700 MHz～2700 MHz的频谱。该全新设备与上个月发布的MB86L11A 2G/3G/4G多模多频收发器一起，在产品类型上丰富了
摘要： 2012年4月16日 – 富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出MB86L13A LTE(FDD和TDD)优化收发器。该全新收发器为面向LTE专向应用开发，采用富士通开拓的RFIC设计架构，无需外部的低噪声放大器(LNAs)和级间声表面波(SAW)滤波器，可覆盖700 MHz～2700 MHz的频谱。该全新设备与上个月发布的MB86L11A 2G/3G/4G多模多频收发器一起，在产品类型上丰富了供货中的富士通MB86Lxxx家族收发器产品系列。MB86L13A现已提供样片，并将于2012第2季度实现批量供货。
2012年4月16日 – 富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出MB86L13A LTE(FDD和TDD)优化收发器。该全新收发器为面向LTE专向应用开发，采用富士通开拓的RFIC设计架构，无需外部的低噪声放大器(LNAs)和级间声表面波(SAW)滤波器，可覆盖700 MHz～2700 MHz的频谱。该全新设备与上个月发布的MB86L11A 2G/3G/4G多模多频收发器一起，在产品类型上丰富了供货中的富士通MB86Lxxx家族收发器产品系列。MB86L13A现已提供样片，并将于2012第2季度实现批量供货。
富士通半导体上海有限公司市场部副总裁郑国威先生表示：“目前，受业界普遍看好的LTE将成为4G技术的主流。许多基带供应商都在为既有的2G/3G解决方案追加强有力的LTE能力，而MB86L13A可加快这些产品的上市时间，快速地在既有2G/3G方案上增补多频的LTE功能。”
此前，富士通已经提供2G/3G/4G多模多频(MMMB)单芯片收发器(如L12A、L11A等)。此次推出的MB86L13A多频LTE收发器在电流损耗和RF参数方面的性能具有世界水平。同时，其搭载的高级编程接口(API)不但缩短了工厂量产校准时间，还提供灵活变通的端口映射，并追加了定制关键绩效指标(KPIs)的监控。
另外，MB86L13A具有多个发送、接收和分级端口，可为漫游所需的映射端口和基带提供极大的灵活性。该收发器使用公开标准MIPI DigRF D4G V1.0基带接口，支持全球的FDD频段1-21， 23-25和TDD频段33-41。MB86L13A还能支持高达20MHz的全部LTE带宽。在今年的路线图上，未来的收发器还将包括3GPP Release 10波载聚合兼容的单RFIC解决方案。
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上海，2012年11月16日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，其面向LTE专向应用而开发的LTE(FDD和TDD)优化收发器---MB86L13A荣获EDN China 2012年度创新奖“通信与网络类手机组”之最佳产品奖。 此芯片在延续富士通半导体第一代多模多频LTE射频收发器的特性之外，可帮助现有的手机客户在其2G/3G产品基础上快速增加4G LTE功能，实现最快速的4G手机产品(同
富士通半导体(上海)有限公司近日宣布推出MB86L13A LTE(FDD和TDD)优化收发器。该全新收发器为面向LTE专向应用开发，采用富士通开拓的RFIC设计架构，无需外部的低噪声放大器(LNAs)和级间声表面波(SAW)滤波器，可覆盖700 MHz～2700 MHz的频谱。
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