赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列
2012-12-27 13:51:34 来源:中电网 点击:1213
【哔哥哔特导读】赛普拉斯半导体在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电$随机存取存储器(F-RAM)产品,提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器,为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的nvSRAM和Ramtron F-RAM产品总
摘要: 赛普拉斯半导体在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器(F-RAM)产品,提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器,为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的nvSRAM和Ramtron F-RAM产品总共的全球出货量已超过10亿。
赛普拉斯半导体在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器(F-RAM)产品,提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器,为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的nvSRAM和Ramtron F-RAM产品总共的全球出货量已超过10亿。
赛普拉斯于2012年11月20日正式完成Ramtron的并购。赛普拉斯保留Ramtron的器件型号,这些器件型号涵盖了市场上最丰富的F-RAM器件容量,保留器件型号也便于支持现有的F-RAM客户。超过95%的量产器件不会因为并购出现供应中断的问题,包括所有深受欢迎的串行F-RAM存储器和处理器伴侣(processor companion)。除了流行的串行和并行接口存储器之外,赛普拉斯非易失性存储器产品系列还包括RFID标签常用的无线存储器以及在同一封装中结合非易失性存储器与实时时钟的集成产品。
赛普拉斯存储器产品业务部执行副总裁Dana Nazarian指出:“Ramtron开发的F-RAM技术具有业界领先的性能,赛普拉斯致力于通过我们丰富的制造技术、出色的全球销售团队以及广泛的经销网络为这些产品提供巨大支持。我们计划在F-RAM技术领域投入研发资源,这也是我们存储器业务的有机组成部分。”
赛普拉斯非易失性产品业务部副总裁Babak Taheri指出:“F-RAM为我们的非易失性存储器产品系列带来了巨大优势和多样化功能。在我们的nvSRAM产品基础上补充增加F-RAM解决方案,使我们的客户能获得各种最终市场所需的最佳速度和功耗解决方案。”
F-RAM和nvSRAM本身属于非易失性技术,不需要电池备份。F-RAM存储器单元本身具有10万亿次的高耐用性,快速单周期和对称读∕写速度,低能耗、gamma辐射耐受性和抗电磁干扰功能。这些特性使其理想适用于汽车、智能仪表、医疗设备、ePOS和打印机等多种不同应用。
赛普拉斯的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存储器技术制造,能够支持更多的存取次数以及更高的密度和性能。nvSRAM具有无限次读写和取回周期,数据保留时间长达20年,使其理想适用于需要持续高速写入数据和需要绝对非易失性数据安全的应用(如RAID、SSD、工业自动化、计算和游戏应用等)。
本文为哔哥哔特资讯原创文章,未经允许和授权,不得转载,否则将严格追究法律责任;
赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)日前宣布,该公司在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器(F-RAM)产品,提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器,为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的n
ADI最近发布了四通道、12位/单通道、14位的180 MSPS波形发生器AD9106/AD9102,均片内集成静态随机存取存储器(SRAM)和直接数字频率合成器(DDS),用于复杂波形生成。
2012年12月11日,北京讯,加州圣何塞讯——赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)日前宣布施耐德电气公司在其两款全新可编程自动化控制器中设计采用了赛普拉斯的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。
上海,2012年11月27日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员-SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8,SON-8是为该产品添加的新型封装。
美国亚利桑那州的Everspin科技公司昨日宣布,它们已成为世界首家MRAM(磁性随机存储器)供应商,为其选定的客户推出其自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)芯片。这种非易失性存储介质据称比当前的SSD快500倍,但价格也是50倍。在性能方面,ST-MRAM的规格看起来令人印象深刻:16亿的IOPS,"高达"3.2GB/s的带宽,以及纳秒级的延迟。
上海,2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止,富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品,为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器
第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
发表评论