MOSFET超小型DIPIPM
2013-02-25 14:47:24 来源:网络 点击:1330
【哔哥哔特导读】三菱电机公司宣布,将推出转换器类型的,超小型双列直插式封装智能功率模块(DIPIPM),该智能功率模块(DIPIPM)主要用于冰箱和其他消费类电子产品的,小容量电机的,逆变器驱动系统。
摘要: 三菱电机公司宣布,将推出转换器类型的,超小型双列直插式封装智能功率模块(DIPIPM),该智能功率模块(DIPIPM)主要用于冰箱和其他消费类电子产品的,小容量电机的,逆变器驱动系统。
该模块采用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关装置,具有低电流区域的低电压上电的特性。 该产品具有优化的低损失驱动IC,和先进的小型化,及高散热设计,将有助于降低小容量电机驱动的功耗,和降低逆变器系统的成本,将于3月1日开始销售。
With optimized low-loss-drive ICs and a high-heat dissipation design, the module will help to reduce power consumption, advance miniaturization and lower the cost of inverter systems for small-capacity motor drive applications.
Product Features
Reduced power consumption in small-capacity inverter systems*
– Power-on voltage in low current regions is reduced by
– Reduction of recovered-power loss by optimizing the MOSFET process.
– Reduction of IC power loss by optimizing the control IC.
High reliability through high-heat dissipation structure
Suppression of channel temperature rise by reducing power loss of switching device and applying a high-heat dissipation insulation sheet.
Cost reduction and miniaturization of final product
Facilitation of thermal radiation via the high-heat dissipation design.
Reduction of external components thanks to built-in bootstrap diode (BSD) with current limiting resistor.
Article Sources: Mitsubishi Electric
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面对社会的需要和系统调节要求,电源的效率都是电子系统中优先考虑的因数,尤其是从电动汽车(EV)到高压通讯,以及工业基础设施整个应用范围,电源的转换效率和功率密度,对于一个成功的设计来说都是关键。
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件,功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此,为了构建下一代牵引逆变器系统,业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前,您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是,没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世,电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动电路简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。
2018年10月29日,北京讯 - 德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。
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