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华晶LED驱动照明方案
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华晶LED驱动照明方案

2014-08-14 10:23:14 来源:http://ic.big-bit.com/ 点击:7381

【哔哥哔特导读】华晶LED驱动照明方案,分别包括产品特点,应用原理图和产品参数列表。

非隔离恒流驱动芯片
产品特点
● 单电感非隔离降压结构,临界模式工作
● 内部集成500V高压功率MOSFET
● 源极驱动,无需辅助绕组供电
● 高达±5%的LED 电流精度
● 高达 90%以上的系统效率
LED 短路保护
● CS 采样电阻短路保护
● 智能温度控制技术,避免高温灯闪
● 芯片过温保护
● 外部可调输出开路/过压保护

应用原理图


非隔离恒流驱动芯片产品参数列表
序号 IC型号 封装外形 最大输出功率(电流) 输入电压 拓扑结构 功率管 功率因数
1 CS7208S SOP8 12W(200mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
2 CS7210S SOP8 18W(240mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
3 CS7220S SOP8 18W(280mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
4 CS7210D DIP8 24W(240mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
5 CS7220D DIP8 32W(280mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
6 CS7508S SOP8 12W(200mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
7 CS7510S SOP8 18W(240mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
8 CS7520S SOP8 18W(280mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
9 CS7510D DIP8 24W(240mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
10 CS7520D DIP8 32W(280mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
11 CS6583BBO SOP8 12W(200mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
12 CS6583BO SOP8 18W(240mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
13 CS6583CBO SOP8 20W(240mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5
14 CS65L83BP DIP7 32W(280mA) 176-265V 非隔离,单绕组 内置MOS 0.5



高功率因数非隔离恒流驱动芯片
产品特点
  • 内置500V高压MOSFET
l ±3% LED输出电流精度
  • 固定导通时间,高PF值(>0.9)
  • 准谐振控制模式
l 90%以上的转换效率
l 优异的线电压调整率和负载调整率
l 优异的电流温度补偿特性
l 软启动功能
l LED短路/开路保护
l 电感绕组短路保护
l 逐周期电流限流
l 过温降电流功能

应用原理图

高功率因数非隔离恒流驱动芯片产品参数列表
序号 IC型号 封装外形 最大输出功率(电流) 输入电压 拓扑结构 功率管 功率因数
1 CS9200T SOT23-6 30W(400mA) 90-265V 非隔离AFFC 外置MOS 0.9
2 CS9208S SOP8 7W(150mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
3 CS9210S SOP8 9W(200mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
4 CS9220S SOP8 12W(240mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
5 CS9240S SOP8 18W(300mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
6 CS9220D DIP8 18W(300mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
7 CS9240D DIP8 24W(400mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
8 CS9508S SOP8 7W(150mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
9 CS9510S SOP8 9W(200mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
10 CS9520S SOP8 12W(240mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
11 CS9510D DIP8 12W(240mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
12 CS9520D DIP8 18W(300mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9
13 CS9540D DIP8 24W(400mA) 90-265V 非隔离AFFC 内置MOS 0.9



隔离恒流驱动芯片
产品特点
● 内部集成650V高压功率MOSFET
● LED电流精度保持在±5%以内
● 原边反馈技术使系统节省次级反馈电路
● 无需变压器辅助绕组检测和供电
● LED开路/短路保护
● CS电阻短路保护
● VCC嵌位和低电压关闭功能(UVLO)
● 过温保护

应用原理图

隔离恒流驱动芯片产品参数列表
序号 IC型号 封装外形 最大输出功率 输入电压 拓扑结构 功率管 功率因数
1 CS6108S SOP8 5W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
2 CS6115S SOP8 9W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
3 CS6205S SOP8 3W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
4 CS6208S SOP8 5W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
5 CS8211AEO SOP8 3W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
6 CS6553BBO SOP8 5W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
7 CS6553BO SOP8 7W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
8 CS6553CBO SOP8 9W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
9 CS6553EP DIP8 18W 90-265V PSR,隔离双绕组 内置MOS 0.5
10 CS6552EO SOP8 7W 176-265V PSR,隔离三绕组 内置MOS 0.5
11 CS6552EP DIP8 18W 176-265V PSR,隔离三绕组 内置MOS 0.5
12 CS6552FEP DIP8 24W 176-265V PSR,隔离三绕组 内置MOS 0.5

CS6573EO四通道线性恒流驱动芯片

产品特点
● 外围电路简单,无需变压器和高压电解电容
● 集成高压启动供电
● 根据LED正向压降自适应切换
● 输出电流可调,最大达60mA
● 片间电流偏差<±5%
● 高效率:>90%
● 高功率因数
● 外部可编程的功率限制
芯片应用系统无EMI问题
● ESOP8 封装

应用原理图

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