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华晶LED驱动照明方案

2014-08-14 10:23:14 来源：http://ic.big-bit.com/ 点击：7409

【哔哥哔特导读】华晶LED驱动照明方案，分别包括产品特点，应用原理图和产品参数列表。

非隔离恒流驱动芯片
产品特点
● 单电感非隔离降压结构,临界模式工作
● 内部集成500V高压功率MOSFET
● 源极驱动，无需辅助绕组供电
● 高达±5%的LED 电流精度
● 高达 90%以上的系统效率
● LED 短路保护
● CS 采样电阻短路保护
● 智能温度控制技术，避免高温灯闪
● 芯片过温保护
● 外部可调输出开路/过压保护

应用原理图

非隔离恒流驱动芯片产品参数列表

序号	IC型号	封装外形	最大输出功率（电流）	输入电压	拓扑结构	功率管	功率因数
1	CS7208S	SOP8	12W(200mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
2	CS7210S	SOP8	18W(240mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
3	CS7220S	SOP8	18W(280mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
4	CS7210D	DIP8	24W(240mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
5	CS7220D	DIP8	32W(280mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
6	CS7508S	SOP8	12W(200mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
7	CS7510S	SOP8	18W(240mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
8	CS7520S	SOP8	18W(280mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
9	CS7510D	DIP8	24W(240mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
10	CS7520D	DIP8	32W(280mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
11	CS6583BBO	SOP8	12W(200mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
12	CS6583BO	SOP8	18W(240mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
13	CS6583CBO	SOP8	20W(240mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5
14	CS65L83BP	DIP7	32W(280mA)	176-265V	非隔离，单绕组	内置MOS	0.5

高功率因数非隔离恒流驱动芯片
产品特点

内置500V高压MOSFET

l ±3% LED输出电流精度

固定导通时间，高PF值(>0.9)
准谐振控制模式

l 90%以上的转换效率
l 优异的线电压调整率和负载调整率
l 优异的电流温度补偿特性
l 软启动功能
l LED短路/开路保护
l 电感绕组短路保护
l 逐周期电流限流
l 过温降电流功能

应用原理图

高功率因数非隔离恒流驱动芯片产品参数列表

序号	IC型号	封装外形	最大输出功率（电流）	输入电压	拓扑结构	功率管	功率因数
1	CS9200T	SOT23-6	30W(400mA)	90-265V	非隔离AFFC	外置MOS	0.9
2	CS9208S	SOP8	7W(150mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
3	CS9210S	SOP8	9W(200mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
4	CS9220S	SOP8	12W(240mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
5	CS9240S	SOP8	18W(300mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
6	CS9220D	DIP8	18W(300mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
7	CS9240D	DIP8	24W(400mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
8	CS9508S	SOP8	7W(150mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
9	CS9510S	SOP8	9W(200mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
10	CS9520S	SOP8	12W(240mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
11	CS9510D	DIP8	12W(240mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
12	CS9520D	DIP8	18W(300mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9
13	CS9540D	DIP8	24W(400mA)	90-265V	非隔离AFFC	内置MOS	0.9

隔离恒流驱动芯片
产品特点
● 内部集成650V高压功率MOSFET
● LED电流精度保持在±5%以内
● 原边反馈技术使系统节省次级反馈电路
● 无需变压器辅助绕组检测和供电
● LED开路/短路保护
● CS电阻短路保护
● VCC嵌位和低电压关闭功能（UVLO）
● 过温保护

应用原理图

隔离恒流驱动芯片产品参数列表

序号	IC型号	封装外形	最大输出功率	输入电压	拓扑结构	功率管	功率因数
1	CS6108S	SOP8	5W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
2	CS6115S	SOP8	9W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
3	CS6205S	SOP8	3W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
4	CS6208S	SOP8	5W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
5	CS8211AEO	SOP8	3W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
6	CS6553BBO	SOP8	5W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
7	CS6553BO	SOP8	7W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
8	CS6553CBO	SOP8	9W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
9	CS6553EP	DIP8	18W	90-265V	PSR,隔离双绕组	内置MOS	0.5
10	CS6552EO	SOP8	7W	176-265V	PSR,隔离三绕组	内置MOS	0.5
11	CS6552EP	DIP8	18W	176-265V	PSR,隔离三绕组	内置MOS	0.5
12	CS6552FEP	DIP8	24W	176-265V	PSR,隔离三绕组	内置MOS	0.5

CS6573EO四通道线性恒流驱动芯片

产品特点
● 外围电路简单，无需变压器和高压电解电容
● 集成高压启动供电
● 根据LED正向压降自适应切换
● 输出电流可调，最大达60mA
● 片间电流偏差<±5%
● 高效率：>90%
● 高功率因数
● 外部可编程的功率限制
● 芯片应用系统无EMI问题
● ESOP8 封装

应用原理图

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