GaN LED基板有望采用“SCAM” 可提高蓝色LED电流密度
2015-01-20 11:03:01 来源：互联网
【哔哥哔特导读】蓝色LED和蓝紫色半导体激光器用基板有望采用铝镁酸钪(ScAlMgO4，通称：SCAM)。SCAM的特点是，与GaN的晶格失配度只有1.8%，便于抑制位错等结晶缺陷。与采用蓝宝石基板相比，易于提高蓝色LED的电流密度。
蓝色LED和蓝紫色半导体激光器用基板有望采用铝镁酸钪(ScAlMgO4，通称：SCAM)。SCAM的特点是，与GaN的晶格失配度只有1.8%，便于抑制位错等结晶缺陷。与采用蓝宝石基板相比，易于提高蓝色LED的电流密度。
图示：SCAM结晶成为GaN LED
以前的SCAM结晶不是单晶，而是多晶，且尺寸只有小拇指大小，现在福田结晶技术研究所成功开发出了口径为2英寸的高品质SCAM单晶。采用的是“旋转拉升法(CZ法)”。
出现了把SCAM结晶作为生长GaN类半导体的基板使用的动向。福田结晶技术研究所试制了口径为2英寸的SCAM结晶。目前主要面向LED，将来还打算用于功率元件。
SCAM可通过裂解加工法从硅锭制作晶圆，因此有望实现低成本化。该研究所对试制的SCAM结晶进行裂解加工，利用X射线衍射法评估了其C面，结果发现其半宽度为12.9秒，结晶品质跟Si的完全结晶相当。
福田结晶技术研究所预定2015年春销售2英寸的SCAM基板。还将开发4～6英寸的基板。
此外，该研究所还打算在SCAM结晶上形成低位错的厚GaN结晶，将这种GaN结晶作为形成电子元器件的“GaN独立基板”。设想主要用于GaN功率元件的制造。
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