外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极(P极，N极)，接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀)，制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试

1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、晶圆切割成芯片后，100%的目检(VI/VC)，操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。 在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。

接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

1、LED芯片测验

镜检：材料表面能否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小能否契合工艺要求电极图案能否完全。

2、LED扩片

因为LED芯片在划片后仍然排列严密间距很小(约0.1mm)，不利于后工序的操作。采取扩片机对黏结芯片的膜进行扩大，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也能够采取手工扩大，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。

3、LED点胶

在LED支架的相应地位点上银胶或绝缘胶。关于GaAs、SiC导电衬底，具备背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。关于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采取绝缘胶来固定芯片。

工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶地位均有具体的工艺要求。因为银胶和绝缘胶在贮存和运用均有严厉的要求，银胶的醒料、搅拌、运用时间都是工艺上必需注重的事项。

4、LED备胶

和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，而后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是一切产品均实用备胶工艺。