广告
广告
设计中功率隔离LED电源的15条经典对策
您的位置 资讯中心 > 技术与应用 > 正文

设计中功率隔离LED电源的15条经典对策

2015-07-31 13:52:24 来源:华强LED网

【哔哥哔特导读】PN8326/8327是芯朋微第二代隔离LED电源驱动产品,提供10-30W电源解决方案,一年多来众多客户反馈8326/8327系列的不少优点,老化开关机不烧灯珠、空载电压稳定可调、环境110度不炸机等。在此,本文总结了工程师们调试中遇到的15个典型问题并给出解决方法!

PN8326/8327是芯朋微第二代隔离LED电源驱动产品,提供10-30W电源解决方案,一年多来众多客户反馈8326/8327系列的不少优点,老化开关机不烧灯珠、空载电压稳定可调、环境110度不炸机等。在此,本文总结了工程师们调试中遇到的15个典型问题并给出解决方法!

一、芯片特点

内置高精度恒流原边控制器,集成专利高压启动模块电路,无需启动电阻;

集成700V高雪崩能力的功率MOSFET;

采用快速DMOS自供电技术无需变压器辅助绕组;

专利的内置线电压补偿电路,0.5%的补偿精度;

恒流输出值可调,±3%LED恒流精度;

优异的全面保护功能,包含精准输出开/短路保护、芯片欠压/过流保护,过温调节功能;

高低压脚分开两边,有效规避因生产工艺导致的打火炸机。

二、变压器设计要点

Bmax设计

 

 

PN8326-PN8327工作在电流断续模式(DCM)

根据电磁感应定理,最大磁通密度为:

 

 

其中Lp为变压器原边电感感量、Np为变压器原边圈数、Ae为变压器窗口面积、Vcs芯片CS脚内部基准最大值。

总结:由于芯片定Ipk变频运行,为降低磁芯损耗,防止变压器饱和而使恒流点下降,Bmax应控制在0.35T以内;在保证变压器不饱和的前提下,尽量增大Lp以减小开关损耗。

匝比设计

该系列产品采用(带线电压补偿的)开环恒流法:即固定去磁占空比D为0.5。理论上,恒流可由下式表达:

 

 

工程设计时,需考虑变压器耦合因子及采样误差的影响,η为系统的电流耦合系数(基本为0.85~0.9)。由其恒流原理可知,为保证系统正常运行,导通占空比必须小于0.5,即满足下式约束:

 

 

其中Vr为输出电压到变压器原边的折射电压、VF为D6正向压降、Vdc,min为EC1电压最小值。若(3)式不满足,芯片进入AbnormalMode。在一个工频周期内,芯片进入AbnormalMode时间越长,输出电压、输出电流的波动越明显。

总结:折射电压应小于输入电容电压最小值。

芯片温升

正常工作条件下,PN8326-PN8327系列均工作于DCM模式,在检查变压器参数没错的情况下,温升高,一般是由于开关频率过高而导致的开关损耗大引起,而输出功率满足以下约束条件:

 

 

其中Po为输出功率,LM为变压器感量、FS为开关频率、IPX为初级峰值电流、η为效率。在输出功率不变的条件下,增大变压器的感量,降低开关频率,减少开关损耗,温升也会相对降低,但同时注意到(1)式的Bmax值。另外,可以适当加大SW脚连接的PCB区域,并露铜改善芯片散热能力。

总结:最大功率条件下,芯片频率建议为40KHz~60KHz。

三、功率管应用要点

为提高系统可靠性,功率器件应降额使用,在最糟情况下,推荐降额系数如下:

电压De-rating系数为0.9,如芯片Vds电压低于630V(700*0.9)。

温度De-rating系数为0.9,如芯片表面温度低于135度(150*0.9)。

总结:功率器件应降额使用,在最糟情况下,电压及温度De-rating系数为0.9。

四、PCB设计要点

功率回路尽量短,且与其它回路分开,改善系统EMC;

采样回路尽量短,以防止采样受干扰,提高系统EFT能力;

VDD电容尽量紧贴芯片供电脚与GND脚,提高系统ESD能力;

芯片小信号回路应远离EMI滤波器的磁性元器件,改善电磁兼容性;

FB回路的走线应尽量短,以避免Trace阻抗引起的调整率一致性,电阻要离ICFBPIN脚越近越好,避免干扰引起输出不稳定;

地线最好为星形接地法:VDD的地,IC的地,FB脚外接电阻的地为一个地;Y电容的地,CS电阻的地为一个地;尽量单点接地,分别接到Balk的地,即为星形接地法;电流采样电阻的功率地线尽可能短,大电流跟小信号需分开,不要交叉输出不稳定;

FB电阻如果用贴片封装,上拉电阻(R4,R5)需用两个1206。

总结:PCB布线应保证各个回路最短、单点接地的原则。

五、十五个精选问题及解决

问题一:满载老化过程中,出现灯闪现象

原因:空载电压设置过低,老化中轻微波动导致电压不够闪灯

对策:建议设计空载电压大于负载电压的20%-30%,防止批量误差导致的电压不够情况

问题二:断电关机后,出现回闪现象

原因:输入大电容有残留电荷,给VDD电容充电,当电压达到启动阀值,芯片重新开始工作

对策:减小次级假负载的电阻值

问题三:带载情况下,多个灯头相碰或者铝基板相连出现灯闪现象

原因:共模干扰引起

对策:加上Y电容,滤除共模干扰信号

问题四:开机时间过长,多个驱动启动不同步

原因:VDD电解电容和输出电解电容的容值偏大,从而冲电时间过长

对策:降低VDD电解电容和输出电解电容的容值

问题五:输出电流一致性差异大

原因:FB走线过长,容易受到磁性元器件的干扰,从而影响输出电流的一致性

对策:FB反馈回路走线尽量短,同时小信号回路注意远离磁性元器件和开关管等大信号

问题六:驱动器没有电流和电压信号输出

原因:有可能是变压器的同名端反了或者线路不通

对策:检查变压器的同名端和板子线路

问题七:天气潮湿后出现闪灯现象

原因:由回南天等特殊气候,客户驱动板存储不当,板子上助焊剂残留物多吸水漏电,芯片FB回路受到干扰,空载电压不稳,达不到设置的目标值,带不动灯珠,从而出现闪灯

对策:尽量采用玻钎板,控制助焊剂残留物,并且合理放置存储,或者生产时在驱动板上涂三防漆隔离

问题八:用手指触碰芯片输出电流会轻微变化

原因:芯片的FB脚受到干扰

对策:变压器绕法改为动点起绕(标示点),或者在FB下拉电阻上并联一个10PF电容

问题九:芯片出现打火失效现象

原因:芯片的3脚是NC脚,其内部封装体耐压在200V,如果搭在SW脚等高电压上面很容易被击穿,从而直接损坏芯片

对策:对于芯片的3脚,LAYOUT时直接不覆铜即可

问题十:FB下拉电阻取值不宜太小

原因:阻值太小,FB电流大,芯片损耗大,线性调整率差

对策:取值范围5K-20K

问题十一:变压器初级VDS电压尖峰过高,MOS的耐压余量不足10%

原因:VDS电压主要由输入电压、漏感、反射电压组成,其中反射电压=N*(VO+VF)所以,变压器漏感太大和反射电压太高都是影响因素

对策:增强变压器工艺减小漏感或者降低变压器匝比

问题十二:输入电压高低变化时电流偏差较大

原因:可能变压器设计不当或FB电阻搭配不合理

对策:芯片具有输入线电压补偿功能,可以通过FB上拉电阻的阻值来调整补偿量,阻值越小,补偿越多

问题十三:输出灯串数量变化时电流偏差较大

原因:可能变压器设计不当或者layout走线影响

对策:参考2.5PCB布线原则

问题十四:低压输入时输出电流下降

原因:这是PSR与SSR的主要差异之一,由其恒流原理可知,其导通占空比D必须小于0.5,即要满足(3)式,否则芯片工作在限制状态。

对策:降低变压器匝比n或增大输入电容容量以满足公式(3),即要满足(3)式,否则芯片工作在限制状态。

问题十五:芯片温度高

原因:工作频率高(控制在40-60K),芯片VDD电压偏低

对策:增大变压器感量,降低工作频率(注意不要饱和,满足公式(1)约束;提高VDD工作电压,调节RCD吸收电路中的R,如下有详细介绍

六、其他注意事项

PN8326输出开路保护原理是FB电压超过典型值3.3V三个周期后VDD开始掉电重启,因此,FB正常工作电压应低于3V;

VDD电压的大小靠RCD吸收电路决定,带满载时电压必须大于12V,最好控制在20V钳位电压,用万用表测量;电压不够可将R6电阻值减小,C3用102/1KV,D用FR107不变;大于12V的好处是可以降低芯片温度(7-10度);

输出二极管及变压器脚开路,会引起芯片损坏,注意控制工艺

CS电阻虚焊或连锡时芯片可自动保护,降低损坏几率。

声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,我们将及时更正、删除,谢谢。

阅读延展
控制器 变压器 电阻
  • 极海发布G32R501实时控制MCU:赋能边缘AI应用

    极海发布G32R501实时控制MCU:赋能边缘AI应用

    极海发布首款基于Arm® Cortex®-M52双核架构的实时控制MCU——G32R501,赋能光伏/储能逆变器、充电桩电源模块、服务器电源、车载OBC、UPS、伺服控制器、机器人等领域。

  • 集成NPU的MCU,ST、PI等新品速览

    集成NPU的MCU,ST、PI等新品速览

    意法半导体、Microchip、英飞凌、PI等全球半导体头部厂商发布新品,包括MCU、电容式触摸控制器、三相栅极驱动器和开关IC。

  • 使用3.3V CAN收发器在工业系统中实现可靠的数据传输

    使用3.3V CAN收发器在工业系统中实现可靠的数据传输

    工业市场正在迅速发展,新兴技术正在满足不断增长的创新和效率需求。工业应用使用多种不同的接口(包括以太网、RS-485和控制器局域网(CAN))在不同的设备之间传输时间敏感型数据。在选择要使用的接口时,设计人员必须考虑许多不同的目标,进行权衡。

  • 借助完全可互操作且符合EMC标准的3.3V CAN收发器简化汽车接口设计

    借助完全可互操作且符合EMC标准的3.3V CAN收发器简化汽车接口设计

    随着汽车的不断发展,配备的先进功能越来越多,旨在增强安全性、舒适性和便利性。更多的功能意味着需要更复杂的电子器件,这凸显了电源效率的重要性。高能效有助于延长行驶里程并降低运营成本,使半导体制造商可以将微控制器(MCU)等电气元件的典型电源电压从5V降低到3.3V。

  • 下一代汽车微控制器

    下一代汽车微控制器

    意法半导体致力于帮助汽车行业应对电气化和数字化的挑战,不仅提供现阶段所需的解决方案,未来还提供更强大的统一的MCU平台开发战略,通过突破性创新支持下一代车辆架构和软件定义汽车的开发。

  • 瑞萨推出全新RA8入门级MCU产品群, 提供极具性价比的高性能Arm Cortex-M85处理器

    瑞萨推出全新RA8入门级MCU产品群, 提供极具性价比的高性能Arm Cortex-M85处理器

    全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)产品群,进一步扩展其业界卓越和广受欢迎的MCU系列。

  • 智能串联型浪涌保护模块特性研究

    智能串联型浪涌保护模块特性研究

    本文以主动型浪涌保护间隙为核心理念,将其与限压型压敏电阻串联,研制能够兼顾电压保护水平与暂态过电压耐受能力的智能串联型浪涌保护模块,有效提升过电压防护组件的防护性能,为高性能浪涌保护模块的研制和工程应用奠定基础。

  • 陶瓷材料合成对线性电阻温度系数的影响

    陶瓷材料合成对线性电阻温度系数的影响

    采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系,制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度,详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示,氧化锌煅烧温度为1000 ℃,瓷体烧结温度为1240 ℃时,电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。

  • Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC热敏电阻,可提高有源充放电电路性能

    Vishay推出的新款高能浪涌限流PTC热敏电阻,可提高有源充放电电路性能

    威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列新型浪涌限流正温度系数(PTC)热敏电阻---PTCEL。

  • 氧化锌压敏电阻(MOV)的参数变化与智能监控

    氧化锌压敏电阻(MOV)的参数变化与智能监控

    本文重点探讨了在不同应用场景下,氧化锌压敏电阻(MOV)基本技术指标发生变化的趋势,为智能监控提供可以准确分析的数据。

  • 智能技术在压敏电阻器行业的应用

    智能技术在压敏电阻器行业的应用

    今年5月,到五家压敏电阻器厂和自动化生产设备厂参观,学习压敏电阻生产新工艺,自动化生产线。座谈交流新技术、新工艺,讨论了企业发展,创立品牌,产品定位,合作共赢等问题。

  • 施主掺杂对ZnO压敏电阻电气性能的影响

    施主掺杂对ZnO压敏电阻电气性能的影响

    研究了铝离子、铟离子共同掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对微观结构进行了表征,通过电流-电压测试、脉冲电流冲击测试和电容-电压测试对电性能进行了评估。

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
粤B2-20030274号   Copyright Big-Bit © 2019-2029 All Right Reserved 大比特资讯 版权所有     未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任