据报道，近日，中国半导体业要发展自身的存储器，包含DRAM(存储器)及3D NAND闪存。但是，针对我国存储器业技术的来源难题，国外一直存有着质疑。在国外的逻辑当中，“技术务必向别人购买”。

我们都知道，外国并不希望我国可以获得存储器技术，就好像之前紫光尝试花230亿美金收购美光等，但是没有成功，迫不得已我国只有靠自己才能改变现在的情况。

存储器芯片是电子技术的粮库，数据信息的载体，事关数据信息的安全性，其市场容量充足，约占半导体材料整体销售市场的三分之一。据调查，中国销售市场消耗了全世界DRAM年产值的48%，耗费了全世界NAND Flash产值的35%，年进口总金额达到880亿美金，依靠外国技术超出90%。

对我国生产商而言，中小型容量存储芯片是在一个市场机遇。据业界预估，中小型容量存储芯片市场容量将维持在120亿-200亿美金，其中低容量NAND有60亿-100亿美金，NOR约30亿美金，低容量DRAM约70亿美金，随之物联网技术和移动智能终端的迅速发展，将不断发展对中小型容量存储芯片的要求，因而中国存储器业能够从这开始，站稳脚了再向高容量存储芯片迈入。

其中DRAM和3D NAND闪存是我国销售市场需求量较大的芯片，因而该类关键技术没办法购买到。西方国家采用多种手段来欺负我国，例如美国将福建省晋华、华为手机等纳入实体清单之中，阻拦中国发展和得到半导体技术。

存储器业的特性是，它的设计方案并不会太难，如NAND闪存大部分有二种结构特征，一种是Floating Gate浮栅式构造，美光，intel选用，另一种是Charge Trap正电荷捕捉型构造，在3D NAND闪存中变成主流的选择，例如东芝、三星、SK Hynix以内的闪存生产厂商通常挑选了Charge Trap构造。

DRAM量产重点在于生产流水线的质量管理及其不断的项目投资，扩张生产能力，最后以总数与价钱制胜。中国有巨大的销售市场及其政府部门的集成电路基金的扶持，艰难取决于生产能力上坡速度，以及在存储器的降低周期时间中可否继续下去。

在二季度，DRAM层面，三星占45%市场份额，Hynix(海力士)占29%市场份额，以及在NAND闪存中，三星的市场占35%及Hynix的18%，从数据可以看出韩国垄断全世界各类存储器。这类局势长期下来并不利产业链发展。

结语：

虽然中国半导体业发展道路不可能一帆风顺，将来还可能会经历一些坎坷，但是我们只要重视“学习曲线”的规律，我坚信中国半导体业最后一定可以获得成功。