据前不久新闻媒体报道，为了应对存储器和半导体产业市场不景气，韩国三星电子，SK海力士，镁光企图经过新老存储器的产品更替，从而摆脱危机。并且也有新闻媒体报道，英特尔就当今以数据为中心进行转型，对内存储存器的发展开展合理布局 与整体规划，且正在有节奏感地进行，慢慢适应。

各位小伙伴我们先看来一下韩厂方面是怎么应对存储器和半导体产业的。

日本对韩国氟化氢等芯片制造重要化学物质发布了“限售令”，韩过存储器厂家为了普及化国有氟化氢，以三星电子，LG，SK海力士带领，降低对日产氟化氢的依赖，而且SK海力士在中国无锡的存储器加工厂使用中国国产氟化氢，可以说彻底摆脱对日常氟化氢的依赖。

在这以后，传出了SK海力士宣布开发设计适用第三代1Z纳米的16Gb DDR4 DRAM，并有了新的进度，SK海力士表示，1z nm的生产效率要比上一代高出27 %，且应用了以往没有添加的新原材料，成功最大化了DRAM的静电容量，大家都很期待，将来1z nm 工艺将扩大应用在新一代移动DRAM‘LP DDR5’与高速 DRAM“HBM3”上。

三星电子于三月完成了1z DRAM的开发和设计，并从九月份开始批量生产，并表示在年末有希望引入紫外光微技术(EUV)。

镁光也传出喜讯。

镁光也在八月宣布了正式批量生产1z工艺的16Gb DDR4 DRAM。镁光觉得，提升电脑用DDDR4 DRAM、移动就用DRAM(LPDDR4 )，及图形用DRAM(GDDR6)技术，对存储器的性能的提升有一定的帮助。

存储器专业人士分析：存储器厂家提升技术是非常好的消息，无论是针对当今不景气存储器和半导体市场，还是将来的存储器的发展趋势，提升技术都是有机遇变成 扭转存储器和半导体市场的突破口。

英特尔也在紧急布局中。

作为全世界x86 CPU市场的领头羊，英特尔在生态上有非常大的影响力，且动作非常迅速。截至去年九月份，英特尔在客户端的SSD上已完成了布局。

从2017年第七代酷睿处理器开始，英特尔宣布根据3D Xpoint介质的内存商品正式商用，可搭配DRAM内存来为系统加速启动。

从2018年底，英特尔率先将QLC 商业化，发布了根据QLC 的大容量SSD 存储660 P，单位容量价钱正式突破了1GB 1块钱的价格线。凭着在功能损耗及性能等方面的优点吸引住了一些客户，推动大容量SSD时代的来临 。

除此之外，英特尔还推出了能一部分取代内存的傲腾数据中心级持久内存，在比如 Redis这样的开源方案，SAP HANA及SQL Server这样的商业软件中都表现出特殊的使用价值。

现阶段在大数据中心行业，上述两者早已造就了很多成功应用案例，在性能，性价比放面都已经吸引住很多来源于不一样行业的客户。

总的来说，存储器市场虽然还是不景气，价钱倒挂现象也很严重，库存告急的状况 也会减轻，但这种情况不可能持续长时间，技术创新，DRAM批量生产，都在表明存储器市场已经开始回暖，在保持观望存储器市场的同时，也要记得做好出手的准备。