一起来了解这两款二极管有什么不同
2020-07-20 15:08:30 来源:电子元件技术网 点击:1635
【哔哥哔特导读】本文主要介绍了发光二极管和激光二极管有什么不一样,从它们的工作原理、架构、效率上进行区分;LED是发光二极管的英文简写,LD是激光二极管的英文简写。
发光二极管和激光二极管在发光原理上的区别:LED是利用引入数字功放区的载流子自发辐射复合发光,而LD是受到刺激辐射源复合发光。普通发光二极管传出的光子的方位,相位是任意的不确定的,而激光二极管传出的光子是同向的,同相位。
LED是Light Emitting Diode(发光二极管)的简称。普遍常见于生活起居中,如家用电器产品的显示灯,轿车后雾灯等。LED的更显着特性是使用周期长,光电转换效率高。其原下上在一些半导体器件的PN结中,引入的极少数载流子与大部分载流子复合时把不必要的动能以光的方式释放出,进而把电磁能立即变换为光能。PN结加反方向工作电压,极少数载流子无法引入,因此二极管不会发光。这类利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,统称LED。
LD是激光二极管的英文简写,激光二极管的物理学构架是在普通发光二极管的结间安装一层具备光活性的半导体材料,激光二极管的端面经过打磨抛光后具备一部分反射作用,因此产生一光谐振腔。在顺向参考点的状况下,发光二极管结发送出光来并与光谐振腔相互影响,进而进一步鼓励从结下发送出单光波长的光,这类光的物理特性与原材料相关。半导体材料雷射二极管的工作原理,理论上与气体雷射器同样。激光二极管在电子计算机上的CD电脑光驱,激光印表机中的打印头等小输出功率光学设备中获得了普遍的应用。
普通发光二极管和激光二极管在原理、构架、效率上的区别。
(1)普通发光二极管和激光二极管在工作原理上的区别:发光二极管是利用引入数字功放区的载流子自发辐射复合发光,而激光二极管是受到刺激辐射源复合发光。
(2)普通发光二极管和激光二极管在构架上的区别:激光二极管有电子光学谐振腔,使造成的光子在腔内振荡变大,发光二极管没有谐振腔。
(3)普通发光二极管和激光二极管效率上的区别:发光二极管没有临界点特眨光谱相对密度比激光二极管高好多个量级,发光二极管汇出光功率小,散发角大。
声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,我们将及时更正、删除,谢谢。
本周,多家半导体厂商发布最新产品进展,涵盖MOSFET驱动器、二极管、生物传感芯片、电源降压芯片等等。
全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”),被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. 生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。
Littelfuse公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
Palmas复合型电源浪涌保护器将压敏电阻(MOV)、陶瓷放电管(GTD)、瞬态抑制二极管(TVS)、浪涌电阻(SR), 温度控制保险管等各种防雷、瞬态过电压保护元器件、通过串联和并联的矩阵方式排列在PCB电路板,由主放电电路和控制电路组成。解决了残压、响应时间、漏电流、通流量、工频续流、使用寿命的问题。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管。
英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!
发表评论