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每周新品速递|ROHM开发出第五代Pch MOSFET
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每周新品速递|ROHM开发出第五代Pch MOSFET

2020-12-28 16:36:03 来源:哔哥哔特商务网 作者:厉丹 点击:1046

【哔哥哔特导读】2020年12月20日-12月26日,本周新品速递来袭,详情请查看下文。

新品资讯导读:

1.EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列可提高设计灵活性并降低硬件复杂性

2.Vishay推出业界首款表面贴装四象限硅PIN光电二极管,以及600V EF系列快速体二极管MOSFET

3.艾迈斯半导体推出Nuheara新款智能耳塞,带来更出色的听觉享受

4.JAE推出USB4认证的Type-C插座连接器

5.顺络推出车载耦合电感——ACPR1208S系列产品

6.ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET

7.意法半导体推出低压专用栅极驱动器IC,改进无刷电机控制设计

以下是本周(2020年12月20日-12月26日)新品资讯详情。

 

1.EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列可提高设计灵活性并降低硬件复杂性

日前,英飞凌科技股份公司推出了EiceDRIVER™X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)栅极驱动器IC。这些器件具备3A、6A和9A的典型输出电流,以及精确的短路检测、米勒钳位和软关断功能。此外,1ED34xx可通过外部电阻提供可调节退饱、滤波时间和软关断电流。由于减少了外部组件的数量,这些功能结合起来可缩短设计周期。1ED38xx通过 I2C 可配置多个参数,这增加了设计的灵活性,降低了硬件复杂性,缩短了评估时间。这些栅极驱动器适用于工业驱动、太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电桩和其他工业应用。

EiceDRIVER X3 Enhanced 1ED34xx和1ED38xx系列适用于IGBT以及 SiC和Si MOSFET单管和模块。输出电流高达9A,无需外接推挽放大电路。超过200 kV/µs的CMTI鲁棒性可避免误开关。两个栅极驱动器系列都具有40 V绝对最大输出电源电压和30 ns(最大)传输延迟匹配,从而缩短了死区时间。

1ED38xx的I2C可配置选项包括短路检测、软关断、欠压锁定(UVLO)、米勒钳位和过温保护。此栅极驱动器系列还提供了通过软件设置的两级关断(TLTOff)。

1ED34xx和1ED38xx栅极驱动器采用小型的DSO-16细间距封装,爬电距离为8 mm。通过UL 1577认证的5.7 kV RMS隔离,结合精确的阈值和定时,能实现出色的应用安全。它们专为承受恶劣的工业应用环境而设计。

2.Vishay推出业界首款表面贴装四象限硅PIN光电二极管,以及600V EF系列快速体二极管MOSFET

日前,Vishay宣布,其光电子产品部推出业界首款标准表面贴封装,经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管---K857PE。Vishay Semiconductors K857PE感光度高,串扰仅为0.1 %,几乎无段间公差,适用于汽车、消费电子和工业市场各种传感控制应用。

日前发布的器件经过AEC-Q101认证,采用四支单片PIN二极管—每支感光区面积为1.6 mm2—集成在4.72 mm x 4.72 mm x 0.8 mm单体封装中(正贴)。K857PE封装侧面不透明,消除杂散光对光电二极管的辐照影响,具有优异信噪比。器件光响应线性度适于车用雨量/日光传感器、工业自动化系统、激光准直和虚拟现实等各种应用的小信号探测。

光电二极管基于外延技术,感光范围690 nm至1050 nm,Ee = 1 mW/cm2,波长850 nm条件下,区段反向光电流为8.5 µA。器件配有日光滤光片,半感光度角为 60,可在-40 ˚C至+110 ˚C温度范围内工作。K857PE符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,可在车间存放168小时,潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准。

12月23日,Vishay宣布推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出,以及即将发布的第四代600V EF系列产品,Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)和软切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.061Ω,超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源。SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类紧随其后的MOSFET低32 %。

日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装,符合RoHS标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。

3.艾迈斯半导体推出Nuheara新款智能耳塞,带来更出色的听觉享受

12月21日,艾迈斯半导体宣布,其主动降噪(ANC)芯片技术为Nuheara“全球先进的耳塞”——新款IQbuds2 MAX产品提供个性化的降噪。

Nuheara耳塞集出色的播放音质与个性化的听觉增强特性于一体。这款零售价为379欧元的耳机为一些有轻度听力障碍但暂时不想使用助听器,同时又希望获得出色聆听体验的消费者提供一个新的选择。

4.JAE推出USB4认证的Type-C插座连接器

JAE发布了USB4(40Gbps)认证的Type-C插座连接器(板上型)。本产品在保证传统USB C型连接器的向后兼容性的同时,通过JAE的高速传输仿真技术,能严格满足USB4规格下的例如信号质量等方面高品质规范。同时,取得USB4认证的产品。

5.顺络推出车载耦合电感——ACPR1208S系列产品

顺络推出的耦合电感ACPR1208S系列,具高效率,高耦合,高额定电流,低直流电阻等特性,产品满足AEC-Q200认证,能够应用于SEPIC,Zeta,反激等拓扑结构电路,同时可作共模,变压器使用。

6.ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM推出适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品,其中包括支持24V输入电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

本系列产品采用了第五代新微米工艺,实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。-40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%、-60V耐压产的导通电阻较以往产品降低52%,有助于实现设备的节能性和小型化。

此外,通过优化元件结构并采用有利于改善电场集中问题的新设计,进一步提高了产品品质,并使普遍认为相互矛盾的产品可靠性和低导通电阻两者同时得到兼顾,从而有助于追求高品质的工业设备长期稳定运行。

7.意法半导体推出低压专用栅极驱动器IC,改进无刷电机控制设计

12月25日,意法半导体推出一款75V以下低压工业应用高集成度三相半桥驱动器IC,这是一个节省空间、节能高效的电机控制解决方案,适用于控制电动自行车、电动工具、泵、风扇、轻型机械、游戏机和其他设备内的三相无刷电机。

STDRIVE101内置三个用于驱动外部N沟道MOSFET的半桥驱动器,每个驱动器的最大拉电流和灌电流都是600mA。芯片内部集成自举二极管和50mA 12V低压降(LDO)稳压器,可随时为外部组件供电,最大程度地减少物料清单成本。集成的比较器配合外部电阻可以检测电流,MOSFET漏源电压监视功能可以实现短路保护。

内部基本安全功能包括内部产生的防止交叉导通的死区时间、过热关机功能,以及防止MOSFET在低效率或危险条件下工作的高低边欠压锁定(UVLO)。DT/ MODE选择引脚让设计人员可以选择使用单独的高边和低边信号或单个PWM信号控制开关管,并启用输入。待机引脚可使STDRIVE101进入LDO稳压器关闭的低功耗模式,在空闲时最大程度地节省电能。

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