针对存储器来讲，关键的技术指标只不过是速度、是不是为非易失性、功能损耗、成本费、体积、使用寿命等。已经有很多存储器类型的商品做出了各式各样的努力，可是自始至终只能侧重某一方面，而不能满足全方位。或许各位小伙伴们更为注重的是MRAM芯片的非易失性，这确实是很诱人的，毕竟它可以让使用MRAM内存的电脑上能够像电视机或是收音机那般可以立刻运行。除开MRAM，现阶段也有许多非易失性存储器，其中包含各位小伙伴们更为了解的磁盘(电脑硬盘、软盘)、Flash Memory(闪存)和EPROM。

作为内存储器而言，磁盘是肯定不好的，因为它的速率确实太慢了，虽然它的容量非常大。至于FLASH Memory中非常流行的Compact Flash.Secure Disk和Memory Stick则在使用寿命上彻底不符合内存储器的规定。一般Flash Memory在历经大概10000次读写周期之后便会损毁，而内存储器的读写能力是非常频繁并且混乱的。如果强制将Flash Memory作为内存储器应用，那么或许超负荷工作200个钟头就损毁了。当然闪存用以数码照相机、MP3播放器等信息电器产品还是很适合的。最终便是EPROM，也就是各位小伙伴们电脑主板上的BIOS块。它具备迅速的速率，可是体积和成本费都是让人无法想象的，并且使用寿命也一般，也是不可以作为内存储器使用的。

MRAM工作的工作原理与硬盘驱动器相近，与在电脑硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方章为根据，存储为0或1。MRAM存储的数据具备永久性，直至被外部的电磁场影响，才会更改这一磁性数据。因为运用磁性存储数据，因此 MRAM在成本费上拥有非常大的减少。

MRAM芯片与闪存都归属于小规格芯片,所占的空间很小,存储的密度也会伴随着集成技术工艺的发展而增加。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺，所以MRAM存储器的体积也会愈来愈小,存储密度也会随着提升。MRAM单元的功能损耗很低，存储单元的工作电压仅有闪存EEPROM的大概十分之一,并且关闭电源后储存数据不需要耗费电量。

与现阶段流行的DDR或者DDR2对比，MRAM存储器的优点仍然显著。抛开让人垂涎三尺的非易失性不谈，仅在速率、功能损耗和体积上，MRAM存储器也是有很大的优点。