mems技术是伴随着集成电路，尤其是集成电路制作工艺发展而来的一门新技术，历经数代生物学家的勤奋，mems现阶段在不一样的领域和不一样的行业陆续发展，实现规划化的生产制造，呈现了微机电系统以及微系统的极大应用前景。

mems技术称作二十一世纪具备颠覆式创新的智能科技技术，也称作颠覆性创新技术之一。其问世和发展方向是“需求牵引带”和“技术促进”的综合性結果，也是一部恢弘壮观的技术演变史，蕴含了各代智能科技先行者们的智慧结晶。因此，传感器权威专家网梳理了mems技术发展历程上的重要时刻。

1947年，美国贝尔实验室创造发明点容栅双旋光性晶体管，现如今的半导体产业链也是由此问世的，也是人类正式进入信息化时代的时刻。晶体管能够称之为二十世纪最重要的创造发明，距今早已有70余年。

1954年，C.S史密斯发现硅锗的压阻效用(当遭受应力场功效时电阻呈现变化它是因为外力的作用而使原材料电阻出现变化的状况称之为“压阻效用”)。很多mems工作压力传感器运用了这一特点，自此，工作压力传感器渐渐地开始商业化。

1958年9月12日，JackKilby心神不安地将十伏工作要求工作电压接进了键入端，再将一个数字示波器连到输出端，联接的一刹那，数字示波器上发生了频率为1.2兆赫兹，震幅为0.2伏的波动波型。现如今电子工业的第一个用单一材料做成的集成电路问世了。一周后，JackKilby用一样的方式取得成功，作出了一个开启电源电路的触发装置。JackKilby的试验告知大家，将各种各样的电子元器件集成于一个晶片ic上是行得通的，全球此后进入了集成电路环节。

1959年，美国科学家理查·费曼发布名称为《底部有足够的空间》的演说，他对纳米技术明确提出了推论，且巨大地促进了微纳技术(mems)的科学研究。

1962年，细微电子元器件的先行者——第一个硅微工作压力传感器面世，从此开创mems技术的先河。它的特点是用硅膜、压敏电阻和体硅浸蚀。它是mems微传感器的开端，除此之外也是mems体生产加工(bulkmicromachining)的开端。

1967年，美国西屋科学研究试验室Nathanson等研究院对硅串联谐振栅晶体管进行报道。它的特点是用静电感应激励起栅震动，它是mems执行设备的开端。

1968年，硅串联谐振栅晶体管(RGT)得到专利权，它成为最早的微静电感应执行器件，也是最早的表层微生产加工技术。

1971年，英特尔公司的费金技术工程师生产制造出全球第一只商业化的CPU微控制器：Intel4004，它称作“超大规模的集成电路工艺”，自此人类进入微型机的新时期。

1978年，美国IBM的Bassous等人报道硅微喷嘴。它是mems薄膜光学的起始。

1979年，惠普公司创造发明了全球第一个mems彩色打印机喷头，mems技术渐渐地用以生产制造这种商品。

1982年，X光LIGA光刻技术被发布，可开发设计晦涩难懂高宽比，精密机械加工的三维、三维微结构及微系统。

1986年，根据mems的原子力光学显微镜(AFM)技术问世，彻底推动表层薄膜光学技术的发展方向。

1987~1988年间，一系列有关微机械设备和微动力学方程的技术座谈会举办，mems一词在这类座谈会中被普遍选用并慢慢地变成一个全球性的科研专业名词。1987年美国伯克利加州大学创造发明了微型马达，在国际学界掀起极大波澜，大家看到了电源电路与实行预制件集成构件一体化制作的可行概率。1988年美国的一批著名科学家明确提出“小机器、大机会”，并号召美国十分重视这一重大行业的开发设计。

1992年，mems光栅尺光解调器面世，广泛运用于显示技术领域，以及图象包装印刷，平板电脑包装印刷和光通讯等方面。

1993年，多用户共享资源mems工艺(MUMPS)诞生，大家慢慢开始研究mems的规范加工工艺要求。除此之外，美国ADI企业选用mems技术开展微型加速度传感器的商业化取得成功，很多运用于车辆地面防滑处理气襄，意味着mems技术产业链建设规划的开始。

1994年，BOSCH创造发明硅高深宽比生产加工的深度反应离子离子注入加工工艺(DRIE)，变成了mems的流行加工工艺。自此，mems技术发展非常快速，尤其是紧紧围绕深槽离子注入技术发展方向得出的各式各样的新式制作工艺。

2000年，mems迎来高速发展，光电子器件、声学材料、微生物等行业涌现出各式各样的数字集成电路，mems光电子器件传感器彻底暴发。

自此，mems加工工艺持续获得进展，商业化的的浪潮也更为奔涌~