碳基芯片摆脱对海外依赖 应对硅基时代问题
2021-07-30 14:29:21 来源:知乎-电巢 点击:2005
【哔哥哔特导读】近期国产8英寸石墨烯晶圆实现小批量生产,只需在石墨烯晶圆上继续实现加工工艺,便能绕开光刻机,产出碳基芯片,总而言之就是无需被卡脖子。当碳基芯片实现商业化,便能摆脱硅基芯片时代的窘境。
近期国内8英寸石墨烯材料圆晶实现了小批量生产,好像给国内芯片快道高速超车打了一剂兴奋药。理论上而言,只需在石墨烯材料圆晶上继续进切成片、刻蚀、离子注入等操作,就能绕开光刻机,作出碳基芯片。换句话说,大家国内芯片,总算无需再被受制于人“卡脖子”了。但客观事实能依照大家设想的进行吗?下边就来分析一下石墨烯能否取代硅基芯片。
1、摩尔定律
最先,先说说摩尔定律,简易而言,便是芯片上的晶体管数量每过18-24个月便会增加一倍,特性也会翻一倍。那么,依照摩尔定律,大家的芯片每一年都是在发展,那假如芯片突破了1nm后会出现什么?
尽管tsmc突破了芯片5nm加工工艺,但它在芯片2nm加工工艺产品研发中是遇到了瓶颈的,由于遭受原材料、元器件和量子物理的限制,硅基芯片逼近物理学极限,便会发生量子隧穿造成的漏电效应和短沟道效应等问题。
因此 伴随着摩尔定律慢慢无效,如今的专家都是在找寻新型材料来替代硅制造芯片,而在其中,石墨烯材料便是一个不错的选项。
2、石墨烯材料
石墨烯材料来自高纯石墨,它是由英国曼彻斯特大学46岁的安德烈·布拉肯和30岁的康斯坦丁·诺沃消洛夫一同发现的。
石墨烯材料称得上科学研究惊喜,它的薄厚仅有0.335纳米,等同于一根头发的20万分之一,但它却比钢材还硬上200倍,而且,石墨烯材料的导电率比硅强100倍,传热性比铜强10倍。因此 ,石墨烯材料与众不同的原材料特性使它将担重任。
假如用石墨烯材料制成碳基芯片得话,那么它的特性可能是硅基芯片的10倍,但功能损耗却能降至四分之一,换句话说大家只需用28nm的光刻机,就能得到全世界最优秀EUV光刻机的实际效果。而造碳基芯片依然问题重重。
由于石墨烯材料的成本增加达5000元1克,现阶段也仅有三星、IBM和intel这种互联网巨头才用到起。尽管在我国2018年石墨烯材料产业链,经营规模做到111亿人民币,有关公司总数达到7300多家,但整体经营状况也不开朗。由于批量生产石墨烯材料是十分难的。
3、碳基芯片
我们知道,硅基芯片的极限在1nm上下,而tsmc如今早已在攻破硅基芯片2nm加工工艺了,硅基芯片结束好像是早晚的事儿,但碳基芯片就不容易,碳基芯片能够做到1nm以下。
在我国渐科学北京大学科技人员从2007年就逐研究碳基芯片,功夫不负有心人,总算在2017年取得成功制取出芯片5nm栅压碳纳米管CMOS元器件,其特性是同样栅长硅基的十倍左右,这也是在我国第一次把握了世界上最优秀的晶体管技术性。2021年5月,北京大学精英团队再度完成了碳基芯片的突破,找到了实现高纯度纳米碳管齐整排序的新技术新工艺。现如今大家8英寸石墨烯材料晶圆现身,攻破了让成千上万美国企业,望而生畏的石墨烯材料纯化难点,这表明,在我国的碳基芯片发展趋势到一个新高度。
碳基芯片虽难,但这条道路终于守得云开见月明。接下来便是要和大量的芯片全产业链协作,让碳基芯片进行产品化实现商业化的,摆脱在我国在硅基芯片时代所遭遇的窘境。
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