印度孟买理工学院(IIT-B)的研究工作人员发明了当地第一个半导体存储器技术，可用于印度本土晶圆厂的180nm连接点上生产制造存储器。

内存是物联网(IoT)的一个重要层面，物联网是一种置入感应器或存储器芯片的物体互联网，可在不用人工控制的情形下通过wifi互换数据信息。通过为存储器芯片给予客户特殊的数据储存，内存用以订制存储器芯片。物联网联接细微的存储器芯片，这种存储器芯片全是同样的，但根据储存在内存中的真实身份(条码)来区别。该数据储存在硅集成电路存储器芯片上的金属材料-绝缘物-金属材料(metal-insulator-metal：MIM)数据存储器中。

在物联网席卷全世界半导体业之时，以印度政府航天部莫哈里半导体实验室(SCL)为代表的半导体设备生态体系迫不得已从海外進口关键存储器技术。

殊不知，由电气工程系专家教授Udayan Ganguly领导干部的IIT-B研究小组与SCL一起成功展现了根据CMOS-180nm的8位存储器技术。这也是一项能够用以批量生产的技术。

理想化状况下，硅芯片(如温度表)应该是一致的，但生产制造的差别会造成细微的误差(比如溫度偏差)，这种误差会在检测中体现出来。这促使绝大多数存储器芯片没用。IIT-B团队设计的技术可以将这类细微的偏位校准一次储存在内存中，随后将其应用到輸出，使每一个有缺憾的存储器芯片越来越极致。

应用这类方式 ，现在可以设计通用芯片并加上特定于应用软件的偏移，进而使价格昂贵的定制存储器芯片设计越来越多余，为客户节约时间和钱财。

“100个方法中有一个是从试验室到芯片加工的过程。超出95%生产量的严苛过程需要一个由全球一流的产品研发基础设施适用的坚持的多课程精英团队，以产生长久的协作。一旦这么成功的技术打开了碰触成千上万性命的可能，在这样的情形下，便是通过具备细微内存的存储器芯片，”Ganguly说。

这类一次性可编程控制器(OTP)存储器根据纤薄堆积二氧化硅，而不是目前的根据栅压金属氧化物的OTP技术。与栅压金属氧化物穿透(一种时兴的OTP存储器)需要的高电压对比，IIT-B的存储器芯片必须要更少的输出功率和芯片面积，因为能避免对升压电源的需要。

“内存技术对网络信息安全尤为重要。它对如今和明天的印度晶圆厂尤为重要。为了更好地引入自主创新，将存储器技术从研究转换为生产制造是在全世界市场竞争和本地生活服务以创建活力四射的半导体材料生态体系的重要。Chandigarh协同IIT-B-SCL精英团队选用OTP存储器技术用以剪修应用软件是朝这一方位迈开的开拓性一步。NITI Aayog组员VK Saraswat说：“根据为所在国开启安全性内存和数据加密硬件配置，它将更改游戏的规则。

该产品由科技部(DST)的高优先选择行业研究强化(IRHPA)发起的。此项工作中的各个领域由DST的纳米技术电子器件研究和运用互联网(NNetRA)，DST智能制造技术和PSA公司办公室给予资产，用以数据库安全。IIT-B的精英团队与IIT-Delhi，SETS Chennai和国防研究与开发组织协作开展硬件加密。

“印度政府数字印度计划的取得成功为我国制造电子器件硬件配置的工作能力确立了基础。对包含集成电路芯片或存储器芯片以内的电子器件硬件配置的关心是提升主要在外太空和国家安全行业的研制的关键。规范制订，设计产品或IP开发设计及其半导体设备越来越关键。提升印度在该领域的参与性是印度产品研发的优先项。印度政府顶尖专业咨询顾问(PSA)K Vijay Raghavan表明，IIT-B与SCL中间初次创建这类存储器技术的协议发现了所在国半导体材料研究的发展潜力更高。