NEC电子与美国全美达（Transmeta）日前签署了全美达电力控制技术“LongRun2”的授权协议。NEC电子将从全美达获得LongRun2技术的详细信息和专利使用权。并计划将该技术应用于最小加工尺寸为90nm、65nm、45nm的LSI生产中。 

　　具体来讲，首先将应用在采用90nm工艺生产的便携设备系统LSI上，计划2005年开始投入量产。接着，将应用于90nm工艺的通信用及服务器用系统LSI上。另外，计划在下一代65nm工艺中，将LongRun2定位于面向所有领域的标准技术，积极推进其在数码家电产品系统LSI等领域中的应用。NEC电子表示，通过引进LongRun2技术“尽管不同LSI会有些差异，但平均可以将耗电量减少至大约1/6”。 

　　NEC电子将向全美达支付LongRun2的授权费用以及专利使用费。在这次合作之前，NEC电子2003年12月曾参加了全美达的新股融资。“当时之所以决定出资，主要是着眼于长期合作、建立更为稳定的而不是临时的伙伴关系”。 

采用反馈偏压技术 

　　LongRun2技术通过动态控制晶体管的阈值电压来降低泄漏电流引起的耗电。在耗电相同的情况下，与此前的技术相比可提高工作频率。采用了所谓的反馈偏压（Back Bias）技术--改变晶体管底板电位、提高阈值电压。一秒钟内可对阈值电压做数百次调整。 

　　全美达特别强调了LongRun2技术的如下优点：可有效减少生产LSI时容易出现的阈值电压不稳定以及由于电源电压和使用温度的变化而产生的阈值电压的变动。因为“LSI工作时电源电压和温度到底发生了多大程度的变动，在芯片生产时是无法把握的”（全美达）。据称，LongRun2技术可应用在标准的Bulk CMOS工艺中。