DRAM厂商在制造工艺方面追赶三星
2011-08-25 11:06:19 来源：iSuppli
【哔哥哔特导读】据IHS公司的DRAM市场报告，随着DRAM价格降到了极低水平，如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程，可能面临重大亏损，三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。
摘要： 据IHS公司的DRAM市场报告，随着DRAM价格降到了极低水平，如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程，可能面临重大亏损，三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。
据IHS公司的DRAM市场报告，随着DRAM价格降到了极低水平，如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程，可能面临重大亏损，三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。
三星第三季度采用3x/2x制程进行的晶圆生产已占到29%，在所有主要DRAM厂商中处于最高水平。第三季度DRAM价格从一年多以前的6.50美元以上降到了1.60美元，如果厂商不赶紧转向3x纳米工艺，则在销售2GB DDR3时可能遭受亏损。2GB DDR3是目前的主流DRAM类型。
三星的韩国同业海力士半导体声称，其18%的DRAM生产也采用了同样的3x/2x纳米工艺。日本尔必达紧随其后，该比例是16%。这些数字表明，其它厂商都在奋起直追，尽管海力士和尔必达在转向新制程方面尚未接近三星那样的高效率。按营业收入份额排名，海力士和尔必分别是第二及第三大DRAM厂商。
图4所示为五大DRAM厂商的制程组合情况，有些厂商在采用新制程的步伐显然非常落后，比如美国美光和台湾南亚科技，二者采用3x/2x纳米工艺的生产仅占1%。
三星将保持业内领先地位，到2012年底，它将把将近80%的晶圆生产转向3x纳米或者更先进的制程。海力士想赶上来，但将落后一个季度。尔必达也努力快速追赶，尽管其25纳米产品仍处于早期的验证阶段。
目前处于落后地位的美光和南亚科技，将在明年底以前不断追赶。这两家公司的主要产品目前都依赖仍然可行的42纳米工艺，该工艺的成本可行性可能只保持到今年，然后必须加快向3x纳米的迁移速度，以保持竞争力。
由于目前DRAM价格处于低位，力晶等业内仍然在采用4x/5x纳米工艺的其它厂商，收回现金成本的可能性将不断下降。目前31纳米2Gb DDR3封装裸片的单位现金成本是0.68美元，但48纳米工艺就会上升到1.34美元。预计DRAM平均销售价格会进一步下滑，第四季度可能降到1.25美元，所以继续采用4x纳米工艺将面临灾难。
出路很明显：如果想走在不断下滑的价格前面，厂商必须迅速采取行动并转向更先进的工艺。不幸的是，此举也有副作用：随着业内厂商努力缩小制程，单位晶圆将生产出更多的DRAM，最终会进一步打压价格。
然而，其它赶超方法很少。美光采取的一种策略，包括让客户基础多样化，以化解一些价格风险。但是，不是所有厂商都能采用这种方法，也不是所有厂商都能涉足多样化市场。由于落后者的利润继续蒸发，这些厂商最终可能被收购甚至被淘汰。
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根据TrendForce集邦咨询数据，预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨。存储芯片的整体涨势或将延续至明年第一季度。
受惠与全球5G市场的发展，再加上全球疫情趋缓，全球存储器事业逐渐恢复合理化。存储器需求以及价格都在增涨。全球DRAM市场格局三分天下，其中韩国企业在DRAM市场与NAND Flash市场中占据较大份额，可见韩国厂商在DRAM，NAND Flash两类数据存储器产业链影响力突出。
因为程序运行的输入数据集经营规模一直在扩大，所以我们就需要更高的DRAM容积才能满足我们的运行需求，但是，DRAM在容积增加的状况下，维持其效率比等就会非常困难，要想解决这一困难，我们应该怎么做呢？
2018年下半年开始，DRAM与NAND Flash的价格就持续走低，造成了存储器供给过剩、库存堆高等问题。
据经济日报消息称，联电内部协助福建晋华开发DRAM的团队在近期展开裁员行动，裁员人数估达上百人。这些被裁人员当中，一部分陆续找到新东家，另一部分回流台湾，回流台湾的人员将协助华邦电扩大自主研发阵容，这是2019年首批半导体人才从大陆回流台湾的事件。
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