NAND闪存无法取代HDD传统硬盘
2012-04-24 16:56:29 来源：中关村在线
【哔哥哔特导读】NAND闪存设备凭借的不俗的安全性和低功耗正在变得越来越流行，不过它始终无法取代HDD传统硬盘的市场地位”，希捷首席执行官Steven Luczo如是说。
摘要： NAND闪存设备凭借的不俗的安全性和低功耗正在变得越来越流行，不过它始终无法取代HDD传统硬盘的市场地位”，希捷首席执行官Steven Luczo如是说。
NAND闪存设备凭借的不俗的安全性和低功耗正在变得越来越流行，不过它始终无法取代HDD传统硬盘的市场地位”，希捷首席执行官Steven Luczo如是说。
Steven Luczo从“以HDD为存储介质的存储”论证了他的观点：2011年，以HDD为存储介质的数据为400艾字节(1艾字节相当于100兆兆字节)，但是到了2015-2016年，这个数字将会激增至1千万亿兆字节，到2020年，这个数字更是会打到7千万亿兆字节。
于此同时，就目前来说，还没有哪存储巨头有能力将NAND闪存产品大规模量产化，而且在未来几年里，也没有哪家厂商可以做到这一点。也就是说，未来一段时间内，巨大的数据存储包括云服务将依然是HDD传统硬盘的分内。
此外，这和NAND闪存高昂的制造成本也密切相关。对于NAND闪存制造商而言，若想在容量上增加1艾字节，其资金投入也得至少1艾字节单位的美金。要是将NAND闪存彻底量产化规模化，至少需要100亿美元的资金，而要想达到同样的存储空，HDD只需要10亿美元的投入。
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2016年6月2日，台北讯 ——在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)，今日推出了SM2258这款全球首个交钥匙式ASIC/固件 SATA 6Gb/s SSD控制器解决方案，可支持所有主流NAND供应商最新发布的3D TLC NAND产品。
在半导体性能创新方面，专家们正专注于三个方面：高级的新材料，比如石墨烯和取代硅的碳纳米管;基于3D堆叠的半导体工艺技术;结合存储器和非存储器芯片的单芯片方案。通过成功制造3D NAND闪存和14 nm的FINFET，三星电子已经开始新的探索。存储器和非存储器芯片之间的集成还在持续。
在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
尽管半导体技术的发展已经进入成熟阶段，但其革新将会继续进行。存储器方面，NAND闪存的容量目前正以超过穆尔法则的速度，即3倍的年率不断扩大。
三星电子近日表示，已在全球最先开始量产突破半导体技术极限的新概念3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D Vertical NAND, 3D V-NAND)。
东芝公司(Toshiba)宣布将在今年八月激活位于日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程，准备增加 NAND 闪存的制造产能，同时转移至 3D NAND 生产。
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