富士通亮相新型抗辐射RFID技术 可抗50kGy伽马射线消毒
2012-05-08 16:09:39 来源:EEWORLD
【哔哥哔特导读】5月1日至5月3日的Interphex2012展会上,富士通与其它一些合作公司着重展示了其使用铁电存储器技术(FRAM)的创新RFID解决方案。
摘要: 5月1日至5月3日的Interphex2012展会上,富士通与其它一些合作公司着重展示了其使用铁电存储器技术(FRAM)的创新RFID解决方案。
5月1日至5月3日的Interphex2012展会上,富士通与其它一些合作公司着重展示了其使用铁电存储器技术(FRAM)的创新RFID解决方案。
“富士通的高性能FRAM技术可用于医疗设备和用品的标记,其数据甚至在伽马射线灭菌过程中也能保持完好。” 富士通美国高级营销经理Tong Swan Pang说,“在Interphex2012,与我们合作的一些公司已经在它们的产品中集成了我们的FRAM技术,可提供用于医疗、生物加工和制药领域的抗辐射、高性能RFID解决方案。”
FRAM是高性能、低功耗的非易失性存储器。它最吸引用户眼球的性能特点是几乎无限的写入次数(1百万亿次),远远超过了EEPROM的1百万次,因此与SRAM、非易失性SRAM模块、MRAM和NVSRAM一起成为需要频繁写入操作的嵌入式应用的存储器选择之一。FRAM现已广泛地在计量、电力能源的监测、嵌入式系统、安全系统报警监控、工业控制以及汽车电子等领域得到了应用,全球交货量已超过1.75亿个,且应用空间和规模还在不断扩大中。而对于医疗和制药领域,最重要的是FRAM技术可以抵抗辐射。FRAM数据可保证免受高达50kGy(杀灭食品中活菌数的90%即减少一个对数周期所需要吸收的射线剂量称为“D”值,其单位为“Gy”,常用kGy表示)的伽马射线消毒损害,而这个数字是通常医用的两倍。
结合了FRAM技术,保证重要医学与制药产品的安全性变得更容易。传统的RFID标签使用EEPROM技术,容易被辐射破坏,而FRAM正好打破了传统RFID标签的一系列限制。
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日本的华裔存储器专家、富士通半导体系统存储器事业部市场部产品高级经理冯逸新提到,中国已成为富士通集团全球最大的市场,而富士通FRAM铁电存储器的最大市场也是在中国!
随着仪器仪表信息化、智能化的发展,传统机械计量设备已经无法满足信息及时采集的要求。而铁电存储器将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起,它的广泛应用为仪器仪表智能化的开发与发展提供了便利的条件。
RamtronInternational宣布,推出64Kb、3V内嵌铁电存储器的处理器外围芯片产品FM3130,在微型封装中结合了非易失性铁电存储器FRAM和RTC(实时时钟/日历)功能。FM3130经过简化,可在消费电子和计算机外设应用中减少系统成本和线路板空间,提供常用的诸如如打印机和高清电视(HDTV)等系统所需通用功能,而且无需使用分立器件。
上海,2012年7月31日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布其FerVID 家族推出用于RFID标签的一款新的芯片-MB89R112。该芯片用于高频RFID标签,带9 KB的FRAM内存。FerVID家族产品使用铁电存储器(FRAM),具有写入速度快,高频可重写,耐辐射,低功耗操作等特点。新品样片2012年8月起批量供货。
Ramtron宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性铁电 RAM (F-RAM)存储器的预认证样片,新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造,具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟(NoDelay™ )写入特性。
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。
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