硬件科技：24nm制程闪存寿命延长十三倍
2012-05-18 17:15:49 来源：驱动之家
【哔哥哔特导读】NAND闪存工艺技术不断进步，但是可靠性和使用寿命却在倒退。尽管从理论上说依然足够绝大多数人用上好几年的，但这种趋势终归让人很不爽。固态硬盘厂商STEC近日宣布了一项新技术“CellCare”，能让NAND闪存的寿命一下子延长多达13倍。
摘要： NAND闪存工艺技术不断进步，但是可靠性和使用寿命却在倒退。尽管从理论上说依然足够绝大多数人用上好几年的，但这种趋势终归让人很不爽。固态硬盘厂商STEC近日宣布了一项新技术“CellCare”，能让NAND闪存的寿命一下子延长多达13倍。
NAND闪存工艺技术不断进步，但是可靠性和使用寿命却在倒退。尽管从理论上说依然足够绝大多数人用上好几年的，但这种趋势终归让人很不爽。固态硬盘厂商STEC近日宣布了一项新技术“CellCare”，能让NAND闪存的寿命一下子延长多达13倍。
CellCare
CellCare是一项硬件和固件综合技术，核心内容包括：每个内核的闪存参数追踪，可带来更少的、受控的磨损;终生闪存管理，可减少磨损、控制性能、改进性能、降低读写延迟;高级错误纠正与数字信号处理，可改进数据可靠性、最大程度减少重新读取。
加入这种技术后，24nm MLC NAND闪存的全盘写入擦除次数(program/erase cycles)可以从现有的3000次猛增到40000次，一下子就增加了13倍还多，而且寿命后期的读写重试可以最高接近100%降低到不足0.011%，擦写速度经过控制后可以基本维持原有水平或者略有减慢。
STEC也正在准备基于CellCare技术的新一代企业级固态硬盘，使用自己的第四代ASIC主控制器、低成本的cMLC NAND闪存，可以连续五年做到每天都进行十次全盘随机写入，40℃高温下可保持数据完整达三个月且不损失任何性能。换言之，这相当于一块400GB的固态硬盘终身写入大约7.3PB的数据。
STEC工程师还对其进行了一系列JEDEC标准测试，包括擦写耐久性和数据保持压力测试、基于压力测试的集成电路验证、固态硬盘需求和耐久性测试等等。
据透露，CellCare技术将全面进驻STEC PCI-E、ZeuslOPS SAS、MACH16 SATA等多条固态硬盘产品线，预计今年晚些时候投产。至于是否会向其它厂商开放这种技术的授权，目前还不得而知。
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2016年6月2日，台北讯 ——在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)，今日推出了SM2258这款全球首个交钥匙式ASIC/固件 SATA 6Gb/s SSD控制器解决方案，可支持所有主流NAND供应商最新发布的3D TLC NAND产品。
在半导体性能创新方面，专家们正专注于三个方面：高级的新材料，比如石墨烯和取代硅的碳纳米管;基于3D堆叠的半导体工艺技术;结合存储器和非存储器芯片的单芯片方案。通过成功制造3D NAND闪存和14 nm的FINFET，三星电子已经开始新的探索。存储器和非存储器芯片之间的集成还在持续。
在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
尽管半导体技术的发展已经进入成熟阶段，但其革新将会继续进行。存储器方面，NAND闪存的容量目前正以超过穆尔法则的速度，即3倍的年率不断扩大。
三星电子近日表示，已在全球最先开始量产突破半导体技术极限的新概念3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D Vertical NAND, 3D V-NAND)。
东芝公司(Toshiba)宣布将在今年八月激活位于日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程，准备增加 NAND 闪存的制造产能，同时转移至 3D NAND 生产。
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