【赛迪网讯】全球著名芯片厂商AMD在其芯片制造工艺中采用了一项名为“应变硅”（strainedsilicon）的技术，该技术能够大大增强其处理器的性能。 　　应变硅技术能够拉大硅原子之间的距离，从而增大了电子运行的空间，同时也意味着处理器速度和性能的提高。AMD刚刚交付PC制造商的90纳米芯片中就采用了应变硅技术。AMD的一名代表周四表示，即将于本季度推出的130纳米芯片中也将采用应变硅技术。 应变硅技术是一项设计工艺，硅原子之间的间隔被强行拉大，因此电子的运行速度也大大加快，芯片的整体性能就会提高。《半导体报告》（TheSemiconductorReporter）最先报道了AMD使用该技术的消息。 　　尽管AMD并没有透露有关应变硅技术的更多细节，但该公司代表却表示这一技术与IBM和英特尔使用的相关技术有所不同。IBM和英特尔都在其芯片生产工艺中嵌入了硅原子和更多锗原子的一个层，这样就拉开了不同层硅原子之间的间隔。 　　同样，IBM和英特尔采用的技术也有所不同。英特尔表示，他们所采用的应变硅技术可以把目前的驱动速度提高10－25%。 　　AMD自动精准制造技术主管托马斯.桑德曼告诉《半导体报道》，AMD的技术显得更为本土化。AMD代表不愿对桑德曼的话发表意思，但AMD执行总裁及研究人士均表示本土化的应用硅技术只对芯片的某些部分产生影响。AMD技术能否同样也提高芯片性能，目前仍不得而知。 　　AMD早些时候与AmberWave合作在芯片生产中使用应变硅技术，但双方的合作最终破裂。AMD代表说，公司在芯片设计过程中通过有意增加层来拉大硅原子之间的间隔。 　　AMD、英特尔和IBM目前都致力于芯片设计领域的另一次技术变革，试图把晶体管控制出口中的硅替换为金属。使用金属晶体管的处理器预计将要使用45纳米工艺，大概将于2007或晚些时候面市。