日本东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）组成的一个联合研究项目，日前使用开关特性（Switching Behaviour）比非晶硅与有机半导体还要高10多倍的半导体材料，成功地开发出了可弯曲的TFT。设想在业界正在广泛进行研发的可弯曲显示器领域，应用于开关像素的元件中。开关特性如若得到提高，就能将TFT设计得更小，就能提高TFT的驱动能力。比如，如果能缩小TFT的尺寸，就能提高液晶面板的分辨率。利用TFT电流驱动能力的提高，就更容易使有机EL面板发光。东京工业大学与JST已经将此次的研究成果发表在11月25日出版的英国《自然》科学杂志上。 　　先在塑料底板上形成非结晶状态的InGaZnO4材料，通过将其作为TFT的活性层来使用，在TFT状态下使作为开关特性指标的载流子迁移度达到了10cm2/Vs。非晶硅的载流子迁移度为1cm2/Vs左右，很多报告称有机半导体的载流子迁移度也与此差不多。 　　在弯曲状态下对此次开发的TFT电气特性进行了测定，即使弯曲到曲率半径30mm左右，TFT仍可正常工作，而不会受到破坏。弯曲状态下的源漏极电流尽管多少比弯曲前低一些，不过从弯曲状态复原后，电流就会得到恢复。对于在TFT遭到破坏之前能够弯曲多少次，计划今后进行测试。