1、 设备名称与型号:自动温控加热板NHP-320
2、 设备外观图:(见图)
3、 设备概要:本设备可以同时加热30片2″wafer,片子通过PIN升降达到所有wafer加热时间相同,克服因人工夹放wafer造成的工艺不稳定问题。
4、 设备规格:
1) 基板尺寸:2″wafer;
2) Through Put:30片/run;
3) 温度范围:20~150℃(Plate表面);
4) HP材质:AL+SALW(阳极处理)+Silastic Heater;
5) 加热面尺寸:(W×D×H) 510×430×12(mm);
6) 温度分布:90℃ ±1℃;120℃±1℃;
7) 温度Sensor:PT100型热电偶;
8) 温度表示:温度调整器Digital表示;
9) 控制方式:Digital温度调整器+SSR(PID);
10) 设备外面尺寸:(W×D×H) 566×486×170(mm);
11) 设备净重:30Kg;
5、 设备运作流程:
(1).查看设备外观无运输破损后,将电源线插入~220V接线板插坐;插上供气管
(2).打开电源开关,设备自检初始化,顶针(PIN)顶起
(3).设置加热温度;设置工作时间
(4).放上待加热晶片
(5).按开始键,顶针下落,晶片落下,贴紧加热板,开始加热,时间继电器开始记时
(6).时间到,顶针(PIN)同时顶起晶片,所有晶片同时离开热板不再加热,蜂鸣器响起提醒工作人员取下加热均匀的晶片。
(7).工作过程中,遇突发事件,可按停止按健,顶针立即顶起晶片,停止加热,时间继电器复位,方便随时进行人工干预。
6、 厂务要求:
项次 项目 內容 容量 备注
1 电源 AC 220V 15A 50Hz
2 CDA >6Kg 稳压1.5Kg
3 供气管 φ8mm 3Kg~10Kg
7、 产品优势:
a) 30片/run,产能优势;
b) Silastic Heater温度均匀性更高。