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SVF7N65T/F

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发货期限: 自买家付款之日起 23 天内发货
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2011-10-26 09:28
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 特点 ∗ 7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力
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