Z8205采用了先进的沟槽工艺技术超低电阻高密度单元设计高功率和电流移交能力完全特性的雪崩电压和电流，采用SOT23-6漏极电流（注1），连续毫瓦小型表面安装封装
参数：
VDS： 20
ID （at VGS=12V） 6A
RDS（ON） （at VGS =4.5V） ＜ 55m W
RDS（ON） （at VGS =2.5V） ＜ 60m W
本公司专业提供全系列高低压mosFET、DC-DC产品。产品线：SILAN、UTC、BEILING、XISEMI、SSC、OMRON、TD、NS、NCE、ZYG、Chipown 一级全线代理价格优势
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