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OH12AF锑化铟（InSb)霍尔元件
概述
型号：OH12AF 工作温度：-40～120℃ 封装：SOT143 包装：3000只/盘
锑化铟（InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成，以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。
典型应用
检测磁性物质的旋转或者位置（用在无刷直流电机，无触点开关）
检测磁场（如无接触电流传感器等）
极限参数 (Ta=25℃)
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参数 |
符号 |
量值 |
单位 |
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输入电流 |
Imax |
20 (at 25℃) |
mA |
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功耗 |
Pmax |
150 (at 25℃) |
mW |
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工作温度范围 |
Top |
-40 ～+120 |
℃ |
|
储藏温度范围 |
Tst |
-40 ～+150 |
℃ |
电参数 (Ta=25℃)
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参数 |
符号 |
检测条件 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
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霍尔输出电压 |
VH |
Vin＝1V, B＝500G（恒压） |
266 |
320 |
mV |
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输入电阻 |
Rin |
I＝0.1mA |
240 |
550 |
Ω |
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输出电阻 |
Rout |
I＝0.1mA |
240 |
550 |
Ω |
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不等位电压 |
Vo |
Vin＝1V, B＝0G |
-7 |
+7 |
mV |
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输出电压的温度系数 |
αVH |
Ta＝0～40℃ AVG. |
- |
-1.8 |
% /℃ |
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输入输出电阻的温度系数 |
αRi |
Ta＝0～40℃ AVG. |
- |
-1.8 |
% /℃ |
※ 霍尔输出电压VH为实测值减区VO值，即VH＝VHM－VO,
（VHM : 在500GS下测得的输出电压值）
